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报道了硅基有机微腔的电致发光(EL).该微腔由上半透明金属膜、中心有源多层膜和多孔硅分布Bragg反射镜(PS DBR)组成.半透明金属膜由Ag(20nm)构成,充当发光器件的负电极和微腔的上反射镜.有源多层膜由Al (1 nm) / LiF(05 nm) /Alq3/Alq3:DCJTB/NPB/CuPc/ITO/SiO2组成,其中的Al/LiF为电子注入层,ITO为正电极,SiO2为使正、负电极电隔离的介质层.该PS DBR是采用设备简单、成本低廉且非常省时的电化学腐蚀法用单晶Si来制备的;该PS
关键词:
电化学腐蚀
电致发光
窄峰发射
硅基有机微腔 相似文献
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电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔 总被引:1,自引:0,他引:1
用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ,不但要考虑到 HF酸对硅的纵向电流腐蚀 ,也要考虑到 HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀 .可通过选取合适的周期、占空比 ,使二者对多孔硅的作用达到适中 ,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔 .并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数 ,根据优化的实验参数 ,制备出了发光峰半峰宽为 6 nm的多孔硅微腔 相似文献
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对边扫描边跟踪的认知雷达,目标的空间分布特性是实现对雷达信号控制的重要依据之一。本文介绍了一种基于高斯混合概率假设密度(GM-PHD)滤波算法的目标空间分布感知方法,利用该算法,可同时实现多目标高虚警环境下的目标数目和目标空间位置以及运动状态的估计。该算法实际是一种对标准GM-PHD滤波器的改进算法,能在新生目标强度未知的情况下完成对新生目标的检测跟踪。实验表明该算法不仅能在未知新生目标强度的情况下检测并跟踪新生目标,且在新生目标速度较大的情况下,该算法对新生目标的检测性能优于标准GM-PHD滤波器。 相似文献
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常规的单元平均恒虚警(CA-CFAR)和双参量恒虚警(BP-CFAR)检测方法在均匀杂波环境中通常能获得较好的检测性能,但在复杂的杂波背景下,例如当目标邻近大目标时,严重的恒虚警损失会导致目标(特别是小目标)难以检测。基于AIS信息协作感知的AW-CFAR处理方法利用AIS的大目标感知信息,通过设置宽度自适应控制的大目标屏蔽带,有效排除大目标对杂波估计的影响。仿真实验结果表明,相对于传统的CA-CFAR和BP-CFAR,该方法对临近大目标的小目标的检测性能改善了8~20 dB。 相似文献
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在光学实验的光强测量中,运用集成I.V变换器和除法器组成双光路测量装置,不但可以取代老式的检测显示仪表(如光电检流计),克服其缺点,实现数字化检测显示,便于与微机连接,而且可以消除由于光源光强不稳产生的测量误差,具有一定的实用价值。 相似文献
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针对Chien-Jan-Tseng体制计算量大以及Yang-Chang-Hwang体制公开信息量大的不足,利用双变量单向函数提出了一个新的(t,n)门限多重秘密共享体制.通过一次秘密共享过程就可以实现对任意个秘密的共享,而参与者秘密份额的长度仅为一个秘密的长度.在秘密重构过程中,每个合作的参与者只需提交一个由秘密份额计算的伪份额,而不会暴露其秘密份额本身.本文体制结合了现有体制的优点并避免了它们的缺点,是一个实用、有效的体制. 相似文献
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用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数--周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响,并用了以HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中,不但要考虑到HF酸对硅的纵向电流腐蚀,也要考虑到HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀.可通过选取合适的周期、占空比,使二者对多孔硅的作用达到适中,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔.并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数,根据优化的实验参数,制备出了发光峰半峰宽为6nm的多孔硅微腔. 相似文献
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TrouSerS是一个优秀的Linux环境下TSS开源实现,Windows环境下TSS开源实现意义重大.对TrouSerS进行Windows环境下移植是最直接有效的方法.通过对TSS规范和TrouSerS分析,给出Windows环境下TSS体系结构.通过对GNU C和MSVC(MS-Visual C++)的比较找出它们在C语言实现上的差异,给出移植方案.移植实例说明本文移植方法是可行的. 相似文献