ZnO/Eu~(3+)发光材料的高温固相合成及其发光性能

采用高温固相法制备了ZnO/Eu3+红色长余辉发光材料.应用正交试验设计法(每个因素取3个水平,选用L9(34)正交试验表),以初始亮度为指标,研究了煅烧温度、Eu3+质量分数、敏化剂Li+质量分数、煅烧时间等4个因素对发光性能的影响;利用X射线衍射仪对合成的ZnO/Eu3+发光材料进行了物相分析,应用荧光分光光度计测定了样品的激发光谱和发射光谱,应用照射计测定了样品的发光特性.结果表明,当各个因素在水平范围内变化时,所制备的样品均具有ZnO晶格结构;荧光粉的主激发峰位于365 nm和458 nm处,主发射峰位于480 nm、570 nm和600 nm~640 nm,对应于Eu3+的4f和5d间的激发和发射.所确定的最佳合成条件为:煅烧温度850℃,w(Eu3+)=4%,w(Li+)=2.5%,煅烧时间3 h.     

基于EIT技术的微区薄层电阻测试系统研究

分析了各种半导体材料电阻率测量方法的优缺点及适用性,利用电阻抗成像技术(EIT),探究了一种用来检测Si片内微区薄层电阻率均匀性的无接触测试技术.实现这种测试技术的硬件电路系统主要由激励模块恒流源、驱动模块多路模拟开关、信号处理模块前置放大电路、A/D转换器件和DSP(数字信号处理器)芯片、计算机等构成.分别介绍了各模块的构成与功能,并略述了用一种图像重建算法等位线反投影法进行阻抗分布图像的重建.