硫化锌薄膜的结构分析

用热蒸发法和磁控离子射频溅射法制备了ＺｎＳ薄膜，利用Ｘ射线衍射技术对据 薄膜的结构相特性进行了研究，为研制高效的光电材料提供依据。     

溅射法制备硫化锌薄膜的XPS剖析

用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）技术，测量了射频磁控溅射法（ＲＦＭＳ）制备的硫化锌薄膜（ＺｎＳ：Ｅｒ＾３＋）的表面及内部构态，认为氧吸附形成的表面构态是产生薄膜界面态和界面陷阱能级的主要原因，对研究器件的激发过程有参考意义     

STUDY OF MICROSTRUCTURE AND ELECTROLUMINESCENCE OF ZINC SULFIDE THIN FILM

The electroluminscent zinc sulfide thin film doped with erbium, fabri cated by thermal evaporation with two boats, are examined. The surface and internal electronic states of ZnS thin film are measured by means of X-ray diffracti on and X-ray photoemission spectroscopy. The information on the relations between electroluminescent characteristics and internal electronic states of the film is obtained. And the effects of the microstructure of thin film doped with rare earth erbium on electroluminescence are discussed as well.     

硫化锌薄膜的微结构剖析

用Ｘ射线衍射和Ｘ射线光电子能谱技术,对分舟热蒸发法研制的掺铒（Ｅｒ）硫化锌直流电致发光薄膜及硫化锌粉料进行剖析,获得薄膜表面及粉料的构态信息,讨论了影响微晶薄膜质量的主要因素。     

掺铒硫化锌薄膜电致发光的动态特性

报道了用分舟热蒸发研制的掺饵硫化锌薄膜器件电致发光的动态特性.运用多段式指数衰减公式与高斯函数的乘积来描述薄膜发光的瞬态过程,理论结果与实验数据十分接近,表明薄膜的陷阱能级对器件发光的弛豫效应产生了影响. 关键词：     

硫化锌薄膜的制备和结构分析

用常规分舟热蒸发法在玻璃衬底上制备硫化锌薄膜，用X射线衍射和透射电子显微镜研究该薄膜的晶体结构，发现硫化锌薄膜与流化锌粉末在晶体结构上存在差异，实验证实硫化锌晶体是具有高于性的共价键晶体。     

掺铒硫化锌交流电致发光薄膜的表面结构

对研制的掺铒硫化锌交流电致发光薄膜,进行了表面的 Ｘ 射线衍射（ Ｘ Ｒ Ｄ） 、 Ｘ 射线光电子能谱（ Ｘ Ｐ Ｓ） 及发光亮度测量。研究认为薄膜多晶的沉积有择优取向的趋势,表层碳、氧主要来源于吸附与玷污,绝缘层选择高介电常数、低电阻率的材料,可进一步提高器件质量     

掺铒硫化锌薄膜界面态及其对驰豫发光影响的研究

应用ＸＰＳ及电容－电压测试研究硫化锌薄膜的界面态，采用电脉冲瞬态激发技术研究Ｅｒ＾３＋激活的ＺｎＳ薄膜特征跃迁非指数衰减过程的驰豫发光，分析了由于氧吸附形成的界面态对驰豫发光的影响。     

掺铒硫化锌薄膜的结构与发光

对硫化锌未灼烧的原粉、灼烧两次的粉料及分舟热蒸发研制的掺铒硫化锌电致发光薄膜器件,用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和发光亮度测试技术、测量硫化 的粉、粉料、薄膜的表面及内部构态,获得微晶薄膜态与发光中心攻发光亮度关系的信息,江膜多晶的沉积有择优陬向的趋势;对（３１１）、（４００这些高指数的晶面,能量相对较小,稀土较容易置换这些晶粒格点上的Ｚｎ＾２＋,形成稀土发光中心;高指数的晶面     

硫化锌的光电子发射结构

对硫化锌粉料、硫化锌半导体微晶薄膜进行了Ｘ射线光电子发射谱剖析。获得粉料、薄膜表层及表层下的电子态信息，揭示了硫化锌粉料、薄膜微结构与电致发光性能的关系。