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提出了一种新型的SOI衬底上的横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)。该LIGBT在漂移区采用了超结(SJ)结构,并且在阳极采用了新颖的阳极辅助栅结构。这种器件由于采用了上述2种结构,相比于普通的LIGBT,它的正向压降更低,开关速度更快。文章对器件的一些关键参数(如P-drift区掺杂浓度、阳极栅宽度和载流子寿命)对器件关断时间的影响进行了仿真。仿真结果表明,提出的新型结构器件与常规LIGBT器件相比,关断速度可以提高30%。 相似文献
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本文主要介绍一种新型电流极限比较电路。该电路提供过流,限制流过LDMOS上的电流,同时根据负载状况调节电流极限值,从而达到调整占空比的作用。分析了该新型电流极限比较电路的电路结构与工作原理。采用1μmCMOS工艺,通过HSPICE进行电路仿真和流片测试,证明本文提出的电流极限比较电路正确可行。 相似文献
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