射频MEMS压控电容器

研究了射频 MEMS压控电容器的设计和制造工艺。压控电容器的制作采用了 MEMS制造技术 ,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质层 ,然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容值的目的。这种压控电容器可以工作于射频和微波波段 ,具有很高的Q值。测试结果如下 :在 1 GHz、0 V时 Q值达到 3 0 0 ,0偏压电容值为 0 .2 1 p F,当加上驱动电压后 Cmax/ Cmin的变比约为 4∶ 1     

相对介电常数大于100的BST(钛酸锶钡)薄膜

南京电子器件研究所采用 RF磁控溅射法成功研制出室温下相对介电常数高于 1 0 0的 BST薄膜。采用具有自主知识产权的工艺技术制作了大直径 BST溅射靶材 ,用这种靶材制作 Pt/BST/Pt薄膜电容 ,在 Si/Si O2 衬底上溅射 BST,其膜厚典型值 2 80 nm。该技术采用了在 RF磁控溅射 BST时     

电泳法制造玻璃钝化微波半导体器件

本文系统地阐述了玻粉电泳沉积的基本理论和规律,并推导了玻粉电泳沉积的动力学方程;论述了用此技术制造微波半导体器件的工艺原理、特点和途径。所制器件寄生参量小、可靠性高,在毫米波电路中显示出极大的优越性。     

DCDC—20GHz射频MEMS开关

描述了 DC— 2 0 GHz射频 MEMS开关的设计和制造工艺 .开关为一薄金属膜桥组成的桥式结构 ,形成一个单刀单掷 (SPST)并联设置的金属 -绝缘体 -金属接触 .开关通过上下电极之间的静电力进行控制 ,其插入损耗及隔离性能取决于开态和关态的电容 .测试结果如下 :射频 MEMS开关驱动电压约为 2 0 V,在“开”态下 DC— 2 0 GHz带宽的插入损耗小于 0 .6 9d B;在“关”态下在 14— 18GHz时隔离大于 13d B,在 18— 2 0 GHz时隔离大于 16 d B.本器件为国内首只研制成功的宽带射频 MEMS开关     

低势垒硅梁式引线混频四管堆

<正>采用全新的玻璃隔离架梁技术,成功地研制出无封装、低势垒、环形梁式引线混频四管堆(见左图)。这种玻璃隔离技术解决了硅MMIC及硅单元模块研制中有源器件之间隔离的困难,并有较高可靠性,可不经封装直接用于微波电路,工作频率可达2cm波段。在隔离介质的光刻腐蚀中采用了复合光刻技术,解决了玻璃隔离与硅低势垒制作工艺相容性问题。并采用了选择电镀、红外光刻等技术。 四管堆单管电性能均匀,1mA下正向压降250mV,势垒优值1.07,电容0.2pF,串联电阻9n左右。     

DC-20GHz射频MEMS开关

描述了DC-20GHz射频MEMS开关的设计和制造工艺.开关为一薄金属膜桥组成的桥式结构,形成一个单刀单掷(SPST)并联设置的金属-绝缘体-金属接触.开关通过上下电极之间的静电力进行控制,其插入损耗及隔离性能取决于开态和关态的电容.测试结果如下:射频MEMS开关驱动电压约为20V,在"开”态下DC-20GHz带宽的插入损耗小于0.69dB;在"关”态下在14-18GHz时隔离大于13dB,在18-20GHz时隔离大于16dB.本器件为国内首只研制成功的宽带射频MEMS开关.     

熔凝玻璃钝化技术及其应用

本文介绍熔凝玻璃钝化的基本原理、工艺方法以及所制备的玻璃钝化器件的可靠性.最后对熔凝玻璃钝化技术作了评述.     

宽带微波MEMS开关

南京电子器件研究所最近研制出国内首只宽带微波 MEMS开关 ,在 DC- 2 0 GHz范围内插入损耗、驻波和隔离性能良好。开关设计为一薄金属膜桥组成的内禀式桥式结构 ,在硅衬底上由介质膜、下电极、上金属薄膜、共平面波导传一等组成 ,形成一个 SPST并联设置的金属 -绝缘体 -金属接触开关。开关通过静电力进行控制 ,其插入损耗及隔离性能取决于开态和关态的电容。所研制宽带微波 MEMS开关 ,用 WIL TRON36 0 B网络分析仪进行检测 ,结果是 :DC-2 0 GHz频段插入损耗小于 0 .6 9d B;1 4- 1 8GHz内隔离大于 1 3d B,1 8- 2 0 GHz时隔离大…