首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   15篇
  免费   0篇
  国内免费   1篇
化学   1篇
力学   2篇
无线电   13篇
  2023年   1篇
  2022年   1篇
  2021年   1篇
  2015年   1篇
  2014年   1篇
  2012年   1篇
  2009年   1篇
  2006年   1篇
  2005年   2篇
  2004年   2篇
  2003年   3篇
  2001年   1篇
排序方式: 共有16条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
2.
Windows平台下的缓冲区溢出漏洞分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
邵丹  唐世钢  林枫 《信息技术》2003,27(2):17-19,,22
就windows平台下利用缓冲区溢出漏洞发起攻击时遇到的几个技术问题提出了一些想法和解决思路,这些问题包括:子函数返回时原缓冲区释放导致攻击代码shellcode无效问题;shellcode中跳转指令地址问题;shellcode所使用函数问题。  相似文献   
3.
无线电监测频谱数据中包含有大量的信号,准确提取这些信号有利于掌握全频段的频谱使用情况。实际信号的频谱由于受噪声干扰,会出现信号频带内个别频点能量值低于检测门限的情况,此时传统的门限检测算法会将该信号错估为多个信号,产生多个虚假的相邻信号间隔,导致频谱信号提取的准确率下降。对此,根据虚假相邻信号间隔特点,提出一种自适应估计信号个数的频谱信号提取算法,该算法可自动、准确估计频谱监测数据中电磁信号的个数,并将对应的信号及频谱信息提取出来。实验结果表明,该方法具有自适应性、强鲁棒性和高准确性,有效提高了频谱信号提取的准确率,为军、民电磁环境的识别与掌握提供基础的电磁信号数据支撑。  相似文献   
4.
林枫  孟超 《现代电子技术》2015,(2):62-64,68
结合车用多媒体触控面板的功能及外观设计要求,充分考虑实际应用环境的复杂性,外界的各种电磁波杂讯等干扰,基于CS5518芯片所具有的电容式触摸感应的功能和强大的抗干扰能力,采用CS5518为主要芯片来实现触摸的捕捉和反馈。基于CS8961在系统编程功能允许用户通过JTAG端口或UART端口方便地更新程序代码,选此芯片作为主控芯片并通过I2C协议进行通信。CS8966是一种通用微控制器具有丰富的外设功能,可用来控制背光灯的亮暗。通过大量的实验与安全性能测试,目前该多媒体触摸面板已经大量投入生产。总结出利用CS5518实现的触摸技术已经成熟,而且可以应用于其他领域,对其研究实用意义重大。  相似文献   
5.
林枫 《电子世界》2009,(2):60-60
一直以来,Symbian智能手机系统以强大的功能和以人为本的精神,博得全球大量消费者青睐。不过,由于诺基亚将Symbian应用系统推广得深入民心,以至于人们几乎都要认为Symbian就是诺基亚自家开发的系统。其实不然,韩国三星手机也是Symbian阵营资深成员之一,如今,它就推出一款以Symbian智能系统为平台的最强拍撮手机i8510C,充分彰显出三星在高端手机领域深厚的研发实力。  相似文献   
6.
疫情触发了经济社会一系列连锁反应,未来面临很多不确定性,但可以确定的一点是全球数字化转型将会加速,智慧城市也会面临新的机遇和挑战.面对我国新型城镇化的不断深入以及"双循环"战略的提出,"十四五"期间,我国智慧城市发展在传统的发展基础之上必定会呈现新的特点,基于这样的判断,文章提出了新形势下智慧城市规划、建设、运营一体化...  相似文献   
7.
红外吸收型瓦斯传感器的研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
着重介绍了红外吸收型瓦斯传感器的分类及原理,并对其特点和存在的问题进行了分析。  相似文献   
8.
本文围绕大数据时代政府如何加强网络舆情的监测、预警以及分析、引导,如何建设网络舆情监测系统开展研究,对维护政府形象,加强社会公共管理,实现社会的和谐具有十分重要的意义。  相似文献   
9.
本文提出了一种有效改善GaAs/Si(001)材料表面形貌和晶体质量的应变平衡超晶格结构及其制备方案。在无偏角Si(001)衬底上,采用金属有机化学气相沉积技术生长了具有应变平衡超晶格结构的GaAs外延层,并在相同条件下仅生长了GaAs外延层作为比较。采用原子力显微镜、光致荧光光谱仪和双晶X射线衍射仪对两种样品进行表征与测试。测试结果表明:与未采用该方案生长的样品相比,采用应变平衡超晶格结构方案生长的样品的均方根表面粗糙度由1.92 nm(10μm×10μm)降至1.16 nm(10μm×10μm),光致荧光光谱峰值强度提高5倍以上,光致荧光光谱峰值半峰全宽从31.6 nm降为23.4 nm,XRD曲线峰值半峰全宽降低了30.4%,X射线衍射峰值强度提升了472.2%。该方案可显著改善GaAs/Si(001)材料的表面形貌及晶体质量,对制备硅基电子和光电子器件具有重要意义。  相似文献   
10.
考察了 "水热处理"以及"碱处理+水热处理"两种方法所制得的超稳 Y 分子筛的骨架硅铝比、孔结构特征以及酸量, 并探讨了"碱处理+水热处理"方法对起始 NaY 分子筛的适应性. 结果表明, 在水热处理前, 对 NaY 分子筛进行碱处理脱硅可在不改变最终样品的骨架超稳化水平和酸量的同时, 样品的介孔体积显著增加. 直接水热处理 NaY 分子筛所得样品介孔体积不超过 0.14 cm3/g, 而先碱处理后水热处理, 所得样品介孔体积可达 0.22 cm3/g. 该法适用于制备骨架硅铝比高的 NaY 分子筛. 起始原料的骨架硅铝比较低时, 所得样品的介孔体积增幅小, 而且微孔受损严重.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号