半导体晶体的定向切割

半导体晶体的定向切割郭辉林本付（淄博金晶电子材料厂）１晶体定向切割分析１．１定向分析目前世界上所用的晶体材料如Ｓｉ、Ｇｅ等单质晶体或ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ等化合物半导体晶体都是闪锌矿结构，一般都是沿〈１１１〉、〈１００〉或〈１１０〉取向生长而成。其...     

砷化镓单晶片抛光工艺研究

由于砷化镓及其它化合物半导体具有很重要的作用，目前对它们的工艺研究越来越多。本文主要介绍了一种比较成熟的ＧａＡｓ单晶片抛光工艺。     

砷化镓单晶片抛光工艺研究

由于砷化镓（ＧａＡｓ）及其它化合物半导体具有很重要的作用，目前对它们的工艺研究越来越多。本文主要介绍了一种比较成熟的ＧａＡｓ单晶片抛光工艺。     

GaAs被动调Q Nd:YAG激光器激光特性的研究

报道了用半导体材料 Ga As实现氙灯抽运 Nd:YAG激光器的被动调 Q运转 ,测量了激光器的阈值、脉冲宽度和输出能量。从 Ga As的能级结构出发 ,理论上研究了 Ga As材料的饱和吸收原理 ,建立了调 Q激光器速率方程并给出了数值解 ,对理论结果与实验结果进行了比较和讨论。