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采用射频磁控溅射的方法制备了MoOx薄膜,并对MoOx薄膜进行不同气氛和时间的退火处理．退火使MoOx薄膜的氧空位增加,并改变了MoOx薄膜的晶相、电阻率和表面形貌．测试结果表明：未退火MoOx薄膜的表面不存在明显晶粒,且只包含1个单斜相衍射峰和较少的氧空位,这导致未退火MoOx薄膜的电阻率最高．当氮气做退火气氛时,MoOx薄膜表面存在均匀分布且生长取向相同的微粒,单斜相衍射峰数目更多,电阻率最低;在氮氢混合气中退火的MoOx薄膜表面存在团簇,且电阻率约为氮气退火MoOx薄膜的2倍．此外,当分别用氮气和氮氢混合气退火时,MoOx薄膜均呈现出随退火时间延长,氧空位含量增加,电阻率进一步降低的趋势． 相似文献
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