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无线电
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1998年
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1.
准泡发射区基区SiGe异质结双极晶体管
张进书
钱伟
陈培毅
钱佩信
罗台秦
王于辉
孙同乐
王庆海
高颖
梁春广
冯明宪
林其渊
《半导体学报》
1998,19(10):798-800
本文报道一种新开发的与Si平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺,以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的SiGe异质结双极晶体管(HBT).SiGeHBT的电流增益为50,BVCBO为28V,BVEBO为5V.在900MHz共射C类工作状态下,连续波输出功率5W,集电极转化效率63%,功率增益7.4dB.
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