InPBi禁带下红外光致发光效率的Bi组分依赖研究

稀Bi半导体InPBi的光致发光（Photoluminescence, PL）主要来自缺陷能级跃迁过程,具有红外长波长、大线宽和高辐射强度等特点,因而引发广泛兴趣。针对InPBi的红外发光效率问题,本文研究了不同Bi组分InPBi的激发功率依赖红外PL光谱演化规律。实验发现,随着Bi组分增大,PL线型发生显著变化,导致发光波长总体红移;同时激发功率依赖的PL积分强度演化分析表明,发光效率随Bi组分先增大然后下降,在0.5%组分时发光效率达到峰值。发光效率增大一方面归因于Bi捕获空穴降低非辐射复合,另一方面来自Bi的表面活性剂效应;而高Bi组分引入过多缺陷从而抑制了Bi的优势,导致发光效率下降。这些结果或有助于理解InPBi的红外发射性能,表明InPBi具有红外光电子应用前景。     

单周期技术和PID调节相结合的控制方法研究

单周期控制技术可以看成是一种以前馈控制为主的复合控制策略,故而具有很好的输入电压调整性能;但因其对输出电压采样的间接性,导致了负载调整性能薄弱。而PID调节恰好在负载调整性能上有优势。文章从工程实用的角度出发,设想将两者结合起来,从而得到优异的抗扰性能。在理论分析之后,通过试验证明了设想的可行性。