PIN二极管子电路模型与微波限幅研究

利用一种改进的PIN二极管子电路模型，通过Pspice软件瞬态仿真研究了PIN限幅器的平顶泄漏和高频限幅性能。利用该子电路对新型SiC材料PIN二极管建模仿真，仿真结果表明新型二极管可以提高限幅器的性能。     

推动中国IPv6网与应用全部署

就在两年以前，没有人能够预见到仅仅2年以后，中国的IPv6大规模部署进程将全面启动。2003年，以国家战略项目——中国下一代互联网示范工程(CNGI)启动为标志，我国IPv6商用化进程进入了实质性发展阶段。中国的五大运营商全面加入IPv6规模部署阵营，到2005年底，我国将建成世界最大规模的IPv6网络。中国正在跻身世界信息技术领域的第一阵营，并将成为被追赶的对象。     

表面波等离子体防护高功率微波

高功率微波武器的快速发展,对军用电子设备构成了极大威胁。文章在分析用传统防护手段防护高功率微波方面所具有的缺陷的基础上,提出用表面坡等离子体技术防护高功率微波,并对表面波等离子体防护装置进行了描述,详细阐述了该装置的防护原理,总结了该防护技术在现实防护中的优点。     

红外探测器IWR读出模式在搜索系统中残影现象分析

在研究搜索系统中红外探测器IWR读出模式对相邻帧成像的影响时发现,选择IWR读出模式后,热像仪对强辐射目标成像,会产生残影现象,出现白影和黑影。针对此问题,本文进行了大量的理论与实验分析,解释了残影现象出现的原因,通过对残影现象进行建模,推导出了寄生电容的公式,并验证了公式的合理性。通过实验分析出残影强度主要与目标和背景温度差有关,温度差越大,残影现象越明显。最后分析了残影现象对搜索系统产生的影响,并提出了减弱残影强度的途径。     

三维荧光光谱法连续测定苯胺、二苯胺和N-甲基苯胺

本文比较了苯胺、二苯胺、N-甲基苯胺的二维荧光光谱和三维荧光光谱。提出了同时测定苯胺,二苯胺和N甲基苯胺的分析方法,它们的浓度分别在2.0×10~(-7)～5.0×10~(-6)mol/L,9.0×10~(-8)～7.4×10~(-6)mol/L,1.3×10~(-7)～2.0×10~(-8)mol/L范围内有良好的线性关系,检出限为1.0×10~(-7)mol/L,8.0×10~(-9)mol/L,1.0×10~(-7)mol/L.相对标准偏差分别为5％,7％,7％.此方法用于混合样品和工业废水的分析,获得较满意的结果.     

导体板上单极天线对电磁脉冲响应特性的矩量法分析

针对应用广泛的单极天线,基于矩量法分析了天线对高空电磁脉冲和高功率微波、超宽带非核电磁脉冲的响应,计算了三类电磁脉冲通过天线耦合产生感应电流频谱响应和时域瞬态响应,窄带脉冲的响应曲线与入射脉冲有较大相似性,电流响应峰值依次为100,60和10.3 A,对现有大功率限幅器的功率容限提出了更高的要求。     

光学窗口的电磁耦合模拟和防护技术

当高功率微波（HPM）辐照装配光学窗口的电子方舱,电磁波将通过透明光学窗口耦合进入方舱内部,损伤方舱内部的电子器件。基于有限时域差分法（FDTD）,文章计算了点辐射源和平面波入射下舱体内部的场强分布,当窗口采用ZnS／Ag／ZnS多层透明导电薄膜防护时,屏蔽效能达到40dB,可对内部电子器件产生有效的防护。     

功率PIN二极管PSpice子电路模型

提出一种改进的PIN二极管子电路模型。该模型能够反映PIN二极管的瞬态开关特性,将基区电导调制效应考虑在内。通过PSpice软件瞬态仿真PIN二极管的正向直流、反向恢复特性。利用该子电路对新型SiC材料PIN二极管建模仿真,仿真结果表明运用新材料对二极管开关性能有显著提高。     

SG2000光工作站上行通道电路简析（下）

3．2．1．6功率放大为补偿电调衰减器及阻抗匹配电路（-3dB衰减器由R98、R99、R100组成）及光调制度衰减器等造成的电平损耗，SG2-IFPT增加功率放大模块（推勉放大器）U14，其工作增益为25dB。     

基于“猫眼效应”的狙击手光电探测仪

为从技术层面上提高反狙击能力,通过分析狙击步枪瞄准镜的反射特性,利用线阵CCD捕捉瞄准镜回波信号研制出主动式狙击手光电探测仪。介绍了探测仪的主要指标参数,并模拟实际使用环境验证了其探测效果。试验结果表明:在城市作战中狙击手通常伏击的距离为20 m~200 m,探测仪可准确探测微光瞄准镜及口径为32 mm、40 mm、42 mm和50 mm的白光瞄准镜,且不受镜子和手电筒凹面镜等反射体干扰,但对加装蜂窝板的瞄准镜,当距离大于80 m后无法可靠探测。