MOSFET亚阈值电流特性

本文从表面电势的大小入手,将亚阀区分为两部分,即弱反型区和多子耗尽区,用扩散理论求得了漏极电流;在多子耗尽区,用理想突变pn结近似求得漏极电流.最后讨论了界面态密度对漏极电流的影响和实验中应注意的事项.     

PECVD SiO_2薄膜应力特性的研究

本文分析了等离子增强化学汽相淀积(PECVD)SiO_2膜的淀积过程,用激光束偏转法测量衬底形变弯曲技术研究了SiO_2膜的应力特性,讨论了SiO_2膜的应力与膜厚、折射率、测量温度及退火温度的关系,最后分析了SiO_2膜本征应力的产生机制。