GaAlAs-GaAs半导体激光器增益参数的研究

通过对半导体激光器发射光谱的计算可获得激光器的增益谱.本文研究了不同电流注入下激光器的增益特性;激光器的峰值增益系数Gmax在阈值电流以下随注入电流的增大而提高,也随结温的升高而下降.     

GaAs—GaAlAs液相外延生长层表面形貌的探讨

一、引言随着光纤通讯和集成光学的飞速发展,GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs液相外延技术也得到了很大的进展,并成功地研制出了寿命六百万小时的半导体激光器及种类繁多的集成光学器件。在液相外延的过程中,首先展现在人们面前的是外延片表面生长的情况,光滑平整的表面形貌不仅增加了外延片的美观,给制管工艺〈诸如光刻、扩散、掩膜、蒸发等〉带来了很大方便,而且生长层表面的好坏也直接反映着外延片内部的生长情况。一般说来,表面形貌好的外延片内部生长也好,反之,表面形貌生长不好的,外延片内部生长也不好。判断表面生长情况好坏可以直接观察其表面有无析出物,生长台     

半导体激光器微分外量子效率及内量子效率的测量

内量子效率和微分外量子效率是半导体激光器的主要物理参数。H. S. Sommer(1978)曾提出一新的测量方法。