一种用于X射线工业检测的多通道电荷读出IC

介绍了一种用于X射线工业检测的多通道电荷读出IC。该电荷读出IC可提供64个通道,将探测器电荷转换成模拟电压。电路由电荷放大器增益控制、增益电容阵列、时序发生器、移位寄存器链、电荷放大器阵列和采样保持放大器等组成,具有低噪声、14位动态范围等特性。电路芯片采用0.8μm标准CMOS工艺制造,芯片尺寸为3.1mm×10.9mm。电路在3.3MHz频率、5V电源电压和3.5V参考电压下工作,电路功耗为45mW。测试结果表明,在电荷放大器增益电容为0.5pF和光电二极管结电容为33pF下,电路的输出噪声达到600μV(Vrms)。     

两种波长激光治疗太田痣的形态学观察

太田痣是以眼周区域青褐色斑痣为特征的色素性胎记，是与三叉神经周围分支相一致的良性色素性皮肤病。为了探讨Q1064nm和Q755nm两种波长的激光治疗太田痣的疗效，对9例不同组织学分型的太田痣患者进行了治疗前、中、后的组织病理和超微结构变化的观察。     

SRAM灵敏放大器的设计改进及其Hspice仿真分析

静态随机存取存储器（SRAM）由于其自身的低功耗和高速的优势而成为半导体存储器中不可或缺的重要产品。提高和改善静态存储器的性能依然是集成电路设计领域的重要课题。从降低静态存储器功耗的角度出发，重点研究了静态存储器的关键模块——灵敏放大器的工作机理和结构，设计了一种改进型的锁存型灵敏放大器，Hspice的仿真表明，该放大器的功耗大大低于传统的静态存储器的灵敏放大器模块的功耗。     

绝经综合征评定量表的验证性因素分析

分析了多层压电电源的工作原理,导出了该电源的电压输出公式.为对压电电源的发电性能进行测试与研究,研制了压电电源发电性能测试仪.在该测试仪的设计中,利用变极距电容式微位移传感器测量压电叠堆的振幅,采用电荷放大器测量压电电源的输出电压.利用该测试仪进行初步试验,结果表明,储能电容C充上的电压与压电叠堆的层数成正比,与C的电容值成反比.试验还发现,压电叠堆的基频固有频率与外部激励源的激振频率相同时发生谐振现象,最终增大了多层压电电源的输出电压.     

IO复用电路的设计与研究

提出一种IO复用方法,将设计的IO复用电路应用到拥有多个功能模块的芯片中,使多个模块共享同一组IO,通过减少芯片中IO的数量来节省芯片面积。仿真结果表明,静态输入IO复用电路和动态输出IO复用电路均具有较好的性能,其工作频率分别达到2.5GHz和1GHz。将这两种IO复用电路应用于含有4个功能模块的芯片中,芯片的IO数量减少76个,节约版图面积2.54mm2,IO版图优化率高达72.95%。最后,推导出拥有2~8个功能模块的芯片的IO版图优化率在50%~87.5%的范围内。     

一种用于X射线安全检测的多通道电荷读出IC

介绍了一种用于X射线安全检测的多通道电荷读出集成电路.该电路可提供32通道的探测器电荷-模拟电压转换,具有无死区时间、失调校准和低噪声特性.电路由电荷放大器增益控制、时序发生器、移位寄存器链、电荷放大器阵列、采样保持放大器和驱动器等组成.芯片采用华润上华0.6μm标准CMOS工艺实现,管芯尺寸为3.1 mm×7.1 mm,工作在3.3 MHz,5V供电和3.5V参考电压下的功耗为45 mW.测试结果表明,在25.5 pF的电荷放大器增益电容和52pF的光电二极管结电容下,电路的输出噪声性能达到90 μV (Vrms).     

一种用于X射线货物检测的低噪声多通道读出IC

A low noise multi-channel readout integrated circuit（IC） which converts a detector current to analog voltage for X-ray cargo inspection is described.The readout IC provides 32 channels of a circuit having a maximum dynamic range of 15 bit and is comprised of integrator gain selection,timing generator,shift register chain, integrator array,sample/hold（S/H） stage amplifier etc.It was fabricated using 0.6μm standard CMOS process, and occupies a die area of 2.7×13.9 mm².It operates at 1 MHz,consumes 100 mW from a 5 V supply and 4.096 V as reference,and has a measured output noise of 85μV_rms on 63 pF of integrator gain capacitance and 440 pF of photodiode terminal capacitance so that steel plate penetration thickness can reach more than 400 mm.     

一款SRAM芯片的设计与测试

基于Chartered 0.35μm EEPROM CMOS工艺,采用全定制方法设计了一款应用于低功耗和低成本电子设备的8×8 bit SRAM芯片。测试结果表明,在电源电压为3.3 V,时钟频率为20MHz的条件下,芯片功能正确、性能稳定、达到设计要求,存取时间约为6.2 ns,最大功耗约为6.12 mW。     

一种用于X射线工业检测的多通道电荷读出IC

介绍了一种用于X射线工业检测的多通道电荷读出IC。该电荷读出IC可提供64个通道,将探测器电荷转换成模拟电压。电路由电荷放大器增益控制、增益电容阵列、时序发生器、移位寄存器链、电荷放大器阵列和采样保持放大器等组成,具有低噪声、14位动态范围等特性。电路芯片采用0.8 μm标准CMOS工艺制造,芯片尺寸为3.1 mm × 10.9 mm。电路在3.3 MHz频率、5 V电源电压和3.5 V参考电压下工作,电路功耗为45 mW。测试结果表明,在电荷放大器增益电容为0.5 pF和光电二极管结电容为33 pF下,电路的输出噪声达到600 μV (V_rms)。