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通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程中,p-MOSFET将被开启,作为阳极短路结构起作用,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失,IGBT快速关断.而且由于电场受到电阻场板的影响,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区,几乎消去了普通SOI-LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段.这两个因素使得新结构的关断时间大大减少.在IGBT的开启状态,由于p-MOSFET不导通,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致.模拟结果表明,新结构至少能增加25%的耐压,减少65%的关断时间. 相似文献
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为解决蓝牙设备对"北斗"卫星无线测定服务(RDSS)的干扰问题,设计了一款"北斗"射频芯片并流片,重点从系统架构、高线性模块电路设计两个方面实现。实测结果表明,该芯片在蓝牙环境下能够很好工作,整机性能不会下降。该芯片的推出将解决长期困扰RDSS接收机的蓝牙干扰以及未来4G移动网络的干扰问题,促进"北斗"的广泛应用。 相似文献
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提出了一种含介质深槽的横向p沟道功率MOSFET(p-MOSFET)。深槽内填充了线性组合的高介电常数(high-k)介质和二氧化硅,以调变寄生的深槽电容(CDT),使CDT充电电荷增大且使该充电电荷沿纵向接近均匀分布。在深槽一侧,通过提高p型漂移区剂量来提供负极板充电电荷,在深槽另一侧,通过增设n型区来提供正极板充电电荷。两侧漂移区的电荷补偿效应均得到增强,器件性能获得提高。仿真结果表明,当击穿电压VB为450 V时,器件的比导通电阻RON,SP为9.5 mΩ·cm2,优值达21.3 MW/cm2,优值为现有器件的2.7倍。该项研究成果为功率集成电路提供了更优的器件选择。 相似文献
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细胞分裂素可以促进植物的细胞分裂、延缓叶绿素的降解及其它老化过程[1 ] 。常见的细胞分裂素有玉米素 (Zeatin)、激动素 (Kinetin)、6 苄氨基嘌呤 ( 6 BA)等 ,这些物质中均含有嘌呤环。鉴于嘌呤环和嘧啶环均为核酸的碱基成分、激动素中含有 2′ 呋喃甲基 ,本文利用活性结构拼接原理 ,将该类细胞分裂素的嘌呤环换成嘧啶环 ,合成了 2种 4 ( 2′ 呋喃甲基 )氨基嘧啶衍生物 ,以试验其生理活性。目标化合物的合成路线如下。a:R =H b :R =SCH31 实验部分1 .1 合成实验6 甲基 4 羟基嘧啶 (IIa) 1 ) 8 6g 6 甲基 4 羟基 2 巯基嘧啶 ,… 相似文献