基于全景虚拟现实技术的科普系统

本文设计了基于全景虚拟现实技术的科普系统架构及功能框架.主要针对现实中的科普植物对象进3D建模,并进行三维全景展示,实现一个基于Web3D的科普系统.     

Quantum Stackelberg Duopoly of Continuous Distributed Asymmetric Information

The minimal quantization structure is employed to investigate the quantum version of the Stackelberg duopoly with continuous distributed asymmetric information, i.e a continuous distribution while the second mover has the first mover has incomplete information that obeys complete information. It is found that the effects of the positive quantum entanglement on the outcomes exhibit many interesting features due to the information asymmetry. Moreover, although the first-mover advantage is counteracted by the information asymmetry, the positive quantum entanglement still enhances the first-mover advantage and improves the first-mover tolerance of the information asymmetry beyond the classical limit.     

基于有序抽样样本的参数的极大似然估计的性质

有序抽样是一种新的抽样方法 ,与简单随机抽样方法相比它具有很多很好的性质 .本文讨论了在有序抽样样本下的参数的极大似然估计的性质 .     

欧式向下敲出看涨幂期权的Esscher变换定价

首先根据障碍期权的不同类型,对普通欧式向下敲出看涨幂期权、部分时间开始、部分时间结束、一般部分时间欧式向下敲出看涨幂期权给出定义.通过E sscher变换分别给出定价公式.另外,对两资产欧式向下敲出幂期权也给出了定价公式,为实践者提供了理论上的参考价格.最后,阐述了此方法的优点.     

导光管式高隔离电压光电耦合器击穿机理研究

对击穿后的导光管式高隔离电压光电耦合器的内部损伤痕迹的研究表明,高电压下器件内部的局部放电引起的持续烧蚀导致了前后级之间的击穿.分析局部放电的部位后,结合附近存在气隙缺陷的情况,在ANSYS下对气隙附近的电场强度分布进行了建模计算.结果表明:局部放电是因气隙内空气的低介电强度所致,并因导电胶的渗透得到加强.在采取结构与工艺措施避免气隙缺陷与导电胶渗透之后,局部放电得到消除,导光管式高隔离电压光电耦合器的最低击穿电压(VISO)从23.8kV提高到了33.5kV.     

辐射效应对半导体器件的影响及加固技术

与其他半导体器件相比,CMOS集成电路具有功耗小、噪声容限大等优点,对于对重量、体积、能源消耗都有严格要求的卫星和宇宙飞船来说,CMOS集成电路是优先选择的器件种类。随着半导体器件的等比例缩小,辐射效应对器件的影响也在跟着变化。这些影响包括:栅氧化层厚度、栅长的减小、横向非均匀损伤、栅感应漏电流等方面。对于微电子器件的抗辐射加固,文章就微电子器件的应用场合、辐射环境的辐射因素和强度等,从微电子器件的制作材料、电路设计、器件结构、工艺等多方面进行加固考虑,针对各种应用环境提出加固方案。     

辛硫磷分子印迹聚合物修饰电极的制备及应用研究

以辛硫磷为模板分子,甲基丙烯酸(MAA)为功能单体,乙二醇二甲基丙烯酸酯(EDMA)为交联剂,偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂,在乙腈中沉淀聚合,研究制备了辛硫磷分子印迹聚合物(MIPs),并采用红外光谱、扫描电镜对合成的聚合物进行表征。Scatchard分析表明MIPs对辛硫磷有两种结合方式,最大表观吸附量(Qmax)和平衡解离常数(KD)分别为:Qmax1=70.58μmol/g,KD1=0.72 mmol/L;Qmax2=531.8μmol/g,KD2=7.80 mmol/L。将聚氯乙烯(PVC)5 mg和15 mg印迹聚合物超声分散于20 mL四氢呋喃(THF)中,取32μL分散液涂敷在玻碳电极上制备成辛硫磷分子印迹聚合物修饰电极,线性伏安法(LSV)检测。选择开路富集时间为5min,于0.03 mol/L HCl-0.02 mol/L KCl溶液(pH 2.2)中,辛硫磷在1.2×10-7~6.0×10-3mol/L浓度范围内,其在修饰电极上的还原峰电流与浓度的负对数呈良好的线性关系,检出限为6.0×10-8mol/L。用分子印迹聚合物修饰电极对实际样品进行分析,回收率为93.8%~96.2%。将印迹聚合物修饰电极对辛硫磷及其类似物(如三唑磷、毒死蜱、乐果等)进行检测,该电极对辛硫磷显示了良好的选择性和灵敏度。     

imaNon-Lipschitz条件的随机微分方程的逼近定理(英文)

本文给出了Non Lipschitz条件下的随机微分方程的一个逼近定理 .     

8ns 4M_bit高可靠性静态随机存储器

为了满足目前对大容量、高速、高可靠性静态随机存储器(SRAM)越来越多的需求和解决高集成度的SRAM成品率深受生产工艺影响的问题,文章提出了一个256k×16bit高性能SRAM的设计。主要针对以下几个方面进行了描述:采用分级字线的方法和字线局部译码电路,提高速度;采用全PMOS管启动电路、与电源无关的偏置和加入补偿电容的稳压电路消除振荡、提高可靠性、降低功耗;冗余修补电路提高产品成品率。该4M_bitSRAM芯片采用SMIC0.18μm标准工艺,地址转换和存取时间仅为8ns,在SS模型125℃加入寄生参数且每个I/OPAD端口挂50pF电容的情况下,仿真结果表明从地址建立到数据读出仅需要7.16ns。