单片InGaAs／InP PIN PD阵列

文章简要地介绍了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＰＩＮ ＰＤ阵列的制作现状及其应用和发展趋势。     

缝隙加载方法减缩微带天线RCS

分析缝隙加载方法减缩微带天线雷达散射截面(RCS)的基本原理和规律.分别介绍四种不同加载形式,综合利用其中两种形式对微带天线RCS进行减缩.在天线增益只下降0.2dB,其它工作性能基本保持的情况下,微带天线RCS在很宽的频带内得到较大幅度的减缩.     

印度"象"来了中国软件外包后院起火

2004年3月5日,上海浦东软件园,萨帝扬电脑服务有限公司,甜甜的印度薰香和印度传统绘画体现出浓厚的异国情调;电话铃声此起彼伏,各种语言充斥着偌大的工作大厅,来往的中、印籍职员个个步履匆匆,忙碌紧凑却又有条不紊。     

基于车身绕流的低雷诺数湍流模型改进研究

本文将汽车绕流模块化为各典型局部流动,通过常用湍流模型对各典型局部流动进行数值模拟,结果验证了湍流模型对转捩的捕捉能力是准确模拟汽车绕流的关键. 在分析汽车绕流分离及转捩机理的基础上,优化了稳态和瞬态求解方法,改进了湍流模型对转捩的预测能力,进而提高了湍流模型在汽车流场模拟上的精度. 针对汽车绕流的稳态问题,将流线曲率因子及 响应阈值引入 LRN $k$-$\varepsilon $ (low Reynolds number $k$-$\varepsilon $) 模型,获得了一种能够更准确预 测转捩的改进低雷诺数湍流模型 (modified LRN $k$-$\varepsilon $),改善了原模型对湍流耗散率的过强依赖性及全应力发展预测不足等问题;针对汽车绕流瞬态求解,通过分析 RANS/LES 混合湍流模型的构造思想及特点,引入约束大涡模拟方法,结合本文提出的改进的 LRN $k$-$\varepsilon $ 湍流模型,提出了一种能准确捕捉转捩现象 的转捩 LRN CLES 模型. 分别将改进的模型用于某实车外流场和风振噪声仿真中,通过 Ansys Fluent 求解器计算,并将计算结果与常用湍流模型的仿真结果、HD-2 风洞试验结果和实车道路实验结果进行对比,表明改进后的湍流模型能够更准确模拟复杂实车的稳态和瞬态特性,为汽车气动特性的研究提供了可靠理论依据及有效数值解决方法.      

STUDY OF Zn,Zn-Cd DIFFUSION IN In_x Ga_(1-x)As

In this report,the diffusion of Zn,Zn-Cd in In_xGa_(1-x)As is investigated using ZnAs_2and ZnAs_2+Cd as diffusion sources.The effect of the diffusion temperature,diffusion time,a variety of the diffusion source andcomposition x of the material on the relation of the(X_j-t~(1/2))are given.The diffusion velocity X_j~2/t of Zn inIn_xGa_(1-x)As is faster than that of Zn-Cd in In_xGa_(1-x)As,and at 500-600℃,the surface acceptorconcentration is from 1×10~(19)to 2×10~(20)cm~(-3),which is higher than that of Zn in InP.Reduction ofcontact resistance by use of In_xGa_(1-x)As contact layer for 1.3μm LED can be expected.     

驻波法之声压极小值测声速研究

传统的驻波干涉法采用声压极大值测声速,受示波器屏幕尺寸限制,灵敏度差.详细分析了驻波共振干涉法测声速的原理,确定了声压极小值测声速的理论依据.用声压极小值法测定了声速,实验结果表明:该方法比声压极大值法更好操作且误差更小.     

InGaAs MSM—PD及其与FET单片集成的进展

本文简要报道了具有势垒加强层的长波长InGaAs MSM-PD和单片集成MSM-PD/FET的进展。本文认为采用高阻掺Fe-InGaAs势垒加强层是有效和简单的,因为它兼有势垒加强和介于MSM-PD与FET结构之间的电隔离作用。