半导体热敏电阻的温敏特性在对数放大器中的应用

论述半导体热敏电阻的温敏特性及其在对数放大器中的应用，将其与金属膜电阻的温敏特性相结合，在很宽的温度范围内，使对数放大器的输入－输出特性实现高精密的温度补偿，从而达到很高的运算精度。     

铝导带薄膜混合集成电路工艺

在薄膜混合集成电路中，以铝导带代替金导带不失为一种廉价而很有前景的工艺，但铝与银浆的黏接在一定的温度和时间下，会产生一种绝缘金属间化合物，需要一定的电压才能击穿，从而使最终产品失效。采用Ａｌ－Ｎｉ复合导带可以解决上述问题，并得到满意的结果。     

FX3290BiMOS双电压比较器的研制

本文结合ＦＸ３２９０ＢｉＭＯＳ双电压比较器的电原理分析，论述采用同心式而已技巧对失调和温漂的影响，并采用自对准离子注入ＢｉＭＯＳ工艺来提高器件 工作电压，进一步降低失调和温漂。在外型封装与国外同类产品相同的条件下，达到了设计要求，部分指标已接近甚至超过国外同类产品水平。     

半导体热敏电阻的温敏特性在对数放大器中的应用

论述半导体热敏电阻的温敏特性及其在艰数放大器中的应用。将之与金属膜电阻的温敏特性相结合，在很宽的温度范围内，使对数放大器的输入－输出特性实现高精密的温度补偿，从而达到很高的运算精度。     

铝导带薄膜混合集成电路工艺的研究

在薄膜混合集成电路中，以铝导带代替金导带不失为一种廉价而很有前景的工艺。但铝与银浆的粘接一定的温度和时间下，会产生一种绝缘性金属间化合物，在一定的电压下产生穿，从而使最终产品失效。为此，可采用铝－镍复合导带加以解决，得到了满意的结果。     

阳析氧化铝工艺在薄膜混合集成电路中的应用

在薄膜混合集成电路中，在金导带与阻带的网络上蒸发一层铝膜，然后利用光刻与阳极氧化结合的方法来刻蚀，从而把金压焊转换为铝压焊点，以改善金导带与硅铝丝键合性能不足。同时产生一层三氧化二铝保护膜，既可保护导－阻带网络，又可实现交叉引线。在提高产品质量、降低产品成本等方面起到了重要的作用。