聚苯胺阳极的性能研究

用磺基水杨酸和硫酸为掺杂剂,过硫酸铵为氧化剂,合成了一种高电导率聚苯胺粉末,并压制成聚苯胺阳极。采用FTIR和DSC/TGA对聚苯胺的结构和热稳定性进行分析,同时也采用加速电解寿命测试和电化学阻抗技术,研究了聚苯胺阳极的电化学性能和该电极在硫酸中的使用寿命。结果表明,在电解过程中槽电压从不稳定-稳定-快速增大的变化过程,电化学行为变化也比较明显。把该电极用于处理含酚废水和铅电极进行对比表明,节电率达34%,转化率达96.8%,是一种优良的电化学催化剂。     

MOCVD生长的平面型InGaAs／InP PIN光电探测器件

讨论了采用MOCVD技术生长的平面型InGaAs/InPPIN器件的光学特性及制备工艺。通过引入InP窗口层并制备合适的抗反射膜,大大提高了器件的量子效率,达到～96%,采用平面型结构有可能改善器件的稳定性和可靠性。     

InGaAs／InP SAGM—APD结构的液相外延生长研究

本文讨论了InP/InGaAsP/InGaAs/InP SAGM-APD结构的抗回熔生长,并解决了InP在InGaAs上液相外延生长时的回熔问题。同时,研究了各外延层参数的控制。结果制得的器件,其最大雪崩倍增20,0.9V_B下暗电流14nA,响应度大于0.6A/W。