三极场发射电子枪虚源半径的计算

本文在分析形成和影响场发射电子枪（ＦＥＧ）虚源半径各有关因素的基础上，报道了一种计算其值的方法。用该法对一实际ＦＥＧ的虚源半径作了计算，并与实验和著名的球锥面模型进行比较，结果是一致的。表明该法不仅简单且行之有效，具有较大的实用价值。     

物联网形势下5G通信技术应用分析

随着5G通信技术的快速发展,现阶段5G通信技术已经在日常生活中得到普及。目前,人们对移动通信的需求越来越大,"万物互联"也逐渐成熟。本文主要介绍5G通信技术在物联网的情况下,阐述了该技术的具体应用,并详细分析了5G通信技术带来的改变日常生活的情况下物联网,以便为相关人员提供参考和分析。     

尖端场发射系统形状系数β的计算

目前利用场发射原理,制成的场发射电子枪(FEG)和液态金属离子源(LMLS),因具有束斑小,亮度高,寿命长和能量分散小等特点,将为人们所关注。现在FEG已被广泛应用于SEM,STEM,电子束曝光和俄歇电子谱仪等各种大型电子光学仪器;LMIS也在离子注入,离子束刻蚀,离子束曝光和二次离子谱仪等表面分析仪器和表面微加工等技术中获得广泛应用。在FEG和LMIS的制作和应用中,仍有许多承待解决或改进的问题。较精确的计算系统的形状系数β值就是其中之一。我们知道,不论是FEG的发射电子流还是LMIS的发射离子流都是由发射尖端的电场强度ε决定的。而ε首先由所加电压u_0决定,其次与尖端的几何形状及尖端到吸取极的距离有关。由于     

稀有金属材料

早在十九世纪,就已经有人开采和使用某些稀有金属材料。然而,使用范围很窄,开采规模也很小。在两次世界大战时期,稀有金属材料工业有了-些发展,但规模并不很大,还是处于萌芽时期。从1950年以后,稀有金属工业才进入了新的发展阶段。随着喷气式飞机、火箭技术、自动化、原子能等工业的发展,稀有金属工业也正在飞跃发展着。很明显,稀有金属工业的发     

高分辨率热场发射显微镜(HRTFEM)

1937年E.W.Müller[1]发明了场发射显微镜(FEM),直到最近[2],人们一直认为FEM的分辨力只能在2nm上下,因而不能像场离子显微镜(FIM)那样可以分辨原子[3]。我们认为FEM的分辨力在理论上可以接近0.1nm,2nm并不是FEM的理论极限,而是人们在实际上一直未能用FEM所超过的水平。其原因在于人们对FEM成像中空间电荷的影响认识不足。众所周知,场发射电流密度比热发射电流密度大几个数量级,因而场发射电流在尖端前面所形成的空间电荷比较严重。在FEM中,图像是由尖端上电子云分布的投影形成的,空间电荷的存在必然干扰甚至屏蔽表面电子云的分…     

测定材料逸出功的一种新方法

本文报道了一种测定材料逸出功的新方法,二次电子发射-接触电位差法(简称SEE-CPD法)。用该法对Ni,Al,Au和Mo四种纯金属的逸出功进行了测量,并与Fowler等温法和Kelvin的接触电位差法比较,结果是一致的。表明SEE-CPD法在理论上是正确的,在实际应用中也是成功的。 关键词：     

计算金属原子半径和动函数的新方法

提出了一种新的金属准原子模型，以及原子有效价电子数和等价轨道半径等概念。并用该模型和上述概念来研究和处理金属问题。得到：只要已知金属原子核外电子排布规律，给出金属原子的主量子数和价电子总数，就可对所研究的金属原子有效核电荷数、原子半径、金属自由电子密度、费密能和功函数等参量进行有效的定量计算。按照该理论给出的方法和公式，经对６８种金属原子的半径和功函数，以及１７种金属自由电子密度分别进行了计算，并将所得的计算值与相应的实验值进行比较，结果前两者与实验是符合的，后者也比自由电子模型更接近于实际。事实表明，本文提出的模型和方法是符合金属实际的，在应用上可能是有意义的。