钯纳米粒子的形貌可控合成与催化性能

借助于一种全新的表面活性剂N,N-dimethyloctadecylammonium bromide acetate sodium（OTAB-Na）,成功实现了对小尺寸钯纳米粒子微结构的控制。通过对合成条件的微扰,高度均匀且分散性良好的枝化结构和凹面体结构的钯纳米粒子被成功地制备。催化测试（利用氨硼烷作为氢化试剂来还原4-硝基苯酚为4-胺基苯酚）发现,钯纳米粒子的催化活性与其微观纳米结构相关,其中枝化结构的钯纳米粒子表现出了更为突出的催化性能。     

电喷雾离子化技术制备FeNi(OH)x薄膜及电催化水氧化性能

采用电喷雾离子化沉积技术, 在氟掺杂锡氧化物(FTO)衬底上制备了均匀的无定形铁镍双金属氢氧化物薄膜. 与浸泡法制备的薄膜相比, 该薄膜具有更高的纯度、 更大的比表面积和较高的电催化水氧化性能, 在10 mA/cm ²时的过电位为290 mV, 并在催化反应中表现出良好的稳定性, 为可控合成高催化活性的过渡金属氢氧化物薄膜提供了一种新方法.     

声表面波器件用〈110〉取向ZnO薄膜的MOCVD生长

Zn O是具有纤锌矿晶体结构的多功能半导体材料 ,它具有 3 .3 7e V的禁带宽度和高达 60 me V的激子束缚能 ,是很有希望的紫外发光材料 .由于具有 c轴的择优取向性 ,因此目前人们的注意力主要集中在对 c轴取向 Zn O薄膜的特性研究上 [1～ 3] .但其它取向的 Zn O薄膜也可在某些衬底的特定面上 ,通过特定的条件进行生长 ,如〈1 1 0〉取向的 Zn O薄膜可在特定的条件下生长在蓝宝石 R面衬底上[4～ 7] .由于 (1 1 0 )面的 Zn O薄膜具有一些 c轴取向薄膜所不具备或无法比拟的特性 ,如 :机电耦合系数高达6% (C面薄膜的机电耦合系数却不足 1 % )…     

LCD黑矩阵的激光制造技术

本文提出了一种新型的LCD黑矩阵激光制造技术,设计了以高功率Q开关半导体泵浦的Nd:YAG固体激光器为主体的激光系统,采用激光背照射喷水辅助的方法制作了黑矩阵样品,有效解决了图形精度和残留物的问题.激光技术与现有的光刻技术相比具有多方面的优越性,很有可能成为现有光刻工艺的取代者.     

不同氧气分压下的MOCVD法氧化锌薄膜生长

采用金属有机化学气相沉积方法,在不同氧气分压下,对硅衬底氧化锌薄膜材料生长做了研究。X-射线衍射方法对氧化锌薄膜的结晶质量做了比对测试。测试结果表明薄膜是沿着(002)方向生长。利用光荧光谱测试分析,对薄膜的发光特性做了研究,研究发现随着氧气分压增大,薄膜的紫外发光峰增强。通过原子力显微镜测试,对薄膜的表面形貌做了观察,发现结晶颗粒的平均粗糙度、均方根,以及平均直径随着氧气分压的增大呈现逐渐变小的趋势。     

ZnO薄膜的XPS研究

利用等离子体增强型MOCVD设备,在C面蓝宝石上生长出了C轴取向的未退火、生长后一次退火和生长过程中多次退火的ZnO薄膜样品,并通过X光衍射和X光电子能谱对样品进行了表征,结果表明生长过程中多次退火的样品具有较高的质量,O/Zn原子比较大,且受空气中氧和水汽的影响最小.     

不同衬底上氧化锌薄膜的金属有机化学气相沉积方法生长

氧化锌薄膜通过金属有机化学气相沉积方法生长在康宁玻璃与α-蓝宝石衬底上,研究了有关薄膜的生长质量与发光特性.通过X光衍射方法测试研究发现,不仅在以α-蓝宝石为衬底的样品中,同时,在以玻璃为衬底的样品中都发现了氧化锌(0 0 2)方向生长的尖峰,表明生长在两种衬底上的样品都是高度的C向生长.对两种样品的荧光谱研究发现,两者的紫外峰位于374 nm附近,在以α-蓝宝石为衬底的样品中,有深能级发射,但在以玻璃为衬底的样品中没有发现,表明在玻璃衬底上我们生长出了高质量的氧化锌薄膜.通过原子力显微镜,对生长在两种衬底上薄膜的表面形貌做了观察,其晶粒的大小与表面粗糙度有一定的差别,表明二者都是以柱状形式生长的.     

氧化锌基薄膜晶体管制备与研究

以玻璃为衬底,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在360℃附近实现ZnO薄膜的生长.利用ZnO为有源层制备底栅型薄膜晶体管.SiO2 被用作栅绝缘材料以有效的抑制漏泄电流的产生,达到氧化锌薄膜晶体管 (ZnO-TFT) 成功运作目的.ZnO-TFT 的电流开关(on/off)比达到104以上.ZnO-TFT 在可见光区平均光透过率大约为80%.以上表明利用ZnO 替代传统 Si 材料作有源层材料制备透明薄膜晶体管是可能的.     

基于LonWorks技术的温度采集控制节点硬件设计

本文是以LonWorks技术开发平台开发的温度采集控制节点,主要介绍了硬件设计。文章介绍了温度采集控制节点的总体设计方案,重点介绍了控制模块和外围接口电路。     

基于TMS320LF2407的材料试验机集成数据采集及控制系统的研制

本文对材料试验机集成数据采集及控制系统进行了研究.提出了设计方案,研制了以TMS320LF2407为核心的硬件集成电路.设计了基于模糊自整定PID控制算法的控制系统软件和用户软件.针对设计的系统软件做了应力速度控制试验,试验结果表明,应力速度控制得到实现,且稳定性好.