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薄膜SOI MOS器件阈值电压的解析模型分析 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了薄膜全耗尽增强型 SOIMOS器件阈值电压的解析模型 ,并采用计算机模拟 ,得出了硅膜掺杂浓度和厚度、正栅和背栅二氧化硅层厚度及温度对阈值电压影响的三维分布曲线 ,所得到的模拟结果和理论研究结果相吻合。 相似文献
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针对目前用于油/水分离的超疏水材料普遍存在的原料不环保、不可降解、涂层耐久性差等缺点,采用简便的浸渍法,制备了一种环保、工艺简单且性能优良的超疏水材料。首先,使用水性聚氨酯(WPU)将聚甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸缩水甘油酯P(MMA-r-GMA)微球固定在棉织物表面,构造微纳米级粗糙结构。其次,通过水解-缩合反应,将无毒的十六烷基三甲氧基硅烷(HDTMS)与甲基三乙氧基硅烷(MTES)锚定在棉织物表面,制备得到超疏水棉织物。结果表明,改性棉织物接触角最高可达157.3(°),滚动角为5(°)。同时具有很好的耐溶剂性,在酸碱溶液中浸泡30 min后,接触角几乎无变化。油水分离效率最高可达97.8%,即使在经过10次循环分离之后,油水分离效率仍然在95%以上。该超疏水织物具有出色的油水分离效率和优良的稳定性,可用于可持续且环保的油水分离领域。 相似文献
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利用电荷泵技术研究了4nm pMOSFET的热载流子应力下氧化层陷阱电荷的产生行为.首先,对于不同沟道长度下的热载流子退化,通过直接的实验证据,发现空穴陷阱俘获特性与应力时间呈对数关系.然后对不同应力电压、不同沟道长度下氧化层陷阱电荷(包括空穴和电子陷阱俘获)的产生做了进一步的分析.发现对于pMOSFET的热载流子退化,氧化层陷阱电荷产生分两步过程:在较短的应力初期,电子陷阱俘获是主要机制;而随着应力时间增加,空穴陷阱俘获作用逐渐显著,最后主导了氧化层陷阱电荷的产生. 相似文献
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提出了一种新结构薄膜SOILIGBT——漂移区减薄的多沟道薄膜SOILIGBT(DRT-MCTFSOILIGB)。主要研究了其低压截止态泄漏电流在423~573K范围的温度特性。指出,通过合理的设计可以使该种新器件具有很低的截止态高温泄漏电流,很高的截止态击穿电压,足够大的正向导通电流和足够低的正向导通压降。还指出,它不仅适用于高温低压应用,而且适用于高温高压应用。 相似文献
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随着技术的快速发展和网络信息化的普及,网络信息系统的完善和安全问题已经是维持一个社会健康运转的必不可少的手段。网络信息系统广泛的深入到了社会的各个角落,而且其中很多都是非常机密和敏感类的信息,这就导致了现在的网络犯罪率逐年增加,而医院的特殊性,又使得医院的网络安全问题非常重要,本文从医院网络安全的重要性出发,分析了其中所存在的问题,并初步提出相关的解决措施。 相似文献