溶胶凝胶法制氧化铝负载铜基超细粒子催化剂的研究

采用溶胶凝胶法制氧化铝负载铜基超细粒子催化剂的制备了氧化铝负载的铜基超细粒子催化剂，用ＴＧ－ＤＴＡ，ＸＲＤ，ＢＥＴ以及ＴＥＭ等技术手段，对催化剂的物相结构，表面孔结构，粒子形貌以及催化性能等进行了研究。结果表明，利用溶胶凝胶法，可以直接帛备出高比表面积，低堆积密度的纤维状纳米级负载型Ｃｕ／Ａｌ２Ｏ３超细粒子；活性组分以远低于纳米级的微晶粒子簇状态，均匀地分散在纳米级氧化铝载体表面上，而且在低于５０     

4阶特殊线性李超代数的型心与拟型心

主要研究了复数域上的特殊线性李超代数sl(m,n)的型心与拟型心,其中m+n=4.应用解线性方程组的方法,完全确定了这些李超代数型心和拟型心的矩阵表示.     

基于分子参数的药物小肠吸收预测模型

选择100个化合物作为数据集,随机选取其中80个为训练集,其他分子为验证集,并为每个化合物分子计算了30个参数.通过采用五种不同多元线性回归分析方法对其训练模拟,建立了数学模型,并用验证集检验了所建模型的预测能力.结果发现向后筛选法为最优小肠吸收建模方法.由该法所建模型的统计结果良好(R2>0.80),应用于验证集时也表现出较强预测能力.该模型确定了对小肠吸收影响较大的分子参数,有助于指导进一步的新药筛选和开发.     

具有超疏水性质的图案化Ag膜

以重氮树脂(DR)/聚丙烯酸(PAA)自组装膜的微图案作为模板, 通过DNA和聚二甲基二烯丙基氯化铵(PDDA)在模板上的层层沉积制备了图案化的DNA膜. 再在其中进行Ag的化学沉积得到图案化的Ag膜. 最后利用低表面能的十二烷基硫醇对Ag膜进行表面修饰, 制备了具有超疏水性质的图案化Ag膜. 其静态接触角达到约168°.     

数据中心综合布线系统设计浅析

结合数据中心的特点,从综合布线系统的空间构成、拓扑结构、系统配置设计、产品选择及通道设计等方面进行了论述.     

平均值不等式的证明及其应用

n n n设 a1，a2，…，an为正数，若∏i＝1 ai ＝1或∑i＝1 ai ＝1，借助数学归纳法可相应地证明∑ai ≥ n或i＝1 n nn∏ai ≤1．这两个不等式可用于证明平均值不等式，并由此得出三者相互等价．实例说明平均值不等式在求数列极限方面的应用． i＝1     

基于锥光全息原理的测距系统研究

针对传统光学非接触测量方法环境适应性差、测 量范围小以及光源依懒性强等问题,提出基于锥光全息原理 的非接触式测量方法。在简要分析锥 光全息测量原理的基础上,设计出应用于距离测量的全息干涉测量系统,提出从条纹宽度变 化量获取被测物移动距 离的方法,并推导出条纹宽度与被测距离之间的关系;同时针对条纹图像散斑严重、条纹中 心不确定、条纹不清晰 等问题,提出相应的图像处理方法以及区域条纹搜索方法,可以选择清晰、光滑的条纹区域 ,进而计算被 测距离;最后,搭建了锥光全息干涉测距系统,并完成了测距实验。实验结果显示,与激光 干涉仪对比,锥光全息 干涉测量系统的测距误差在10μm以内;具有测量范围大、测量分辨 率和测量精度高以及环境适应能力强等优点,能够满足测量要求。     

PtRuAgCoNi高熵合金纳米颗粒高效电催化氧化5-羟甲基糠醛

5-羟甲基糠醛(HMF)的电催化氧化被认为是合成2,5-呋喃二甲酸(FDCA)最环保、经济和有效的方法之一,它可作为聚呋喃二甲酸乙二醇酯(PEF)的生物基前体。在这项工作中,我们通过低温溶剂热法合成了PtRuAgCoNi高熵合金纳米颗粒,并在不改变颗粒结构和组成的情况下进行了简易的处理以去除表面活性剂。负载在碳载体上的合金纳米催化剂无论是否含有表面活性剂在HMF电催化氧化为FDCA的过程中都表现出比商业Pt/C更好的催化性能。且表面活性剂的去除可以进一步提高其电催化性能,表明高熵合金纳米粒子在电催化和绿色化学中具有广阔的应用前景。     

体积应变对立方钛酸铅电子结构和光学性质的影响

本文利用第一性原理方法计算并分析了体积应变(-11%~11%)对立方顺电相PbTiO₃的结构、稳定性、电子结构和光学性质的影响。研究发现体积应变后PbTiO₃形成焓增大,稳定性下降,其中压应变对其稳定性的影响比拉应变大。当受到拉伸应变时,立方PbTiO₃由直接带隙半导体变为间接带隙半导体,且带隙随应变增大呈先增大后降低的趋势。在发生压应变时,从复介电函数、复折射率及吸收系数的分析结果可知,在自然光照下PbTiO₃的光吸收能力仅在个别波段有所增大,但总体呈减弱趋势,当产生拉伸应变时,介电峰、吸收峰红移,表明PbTiO₃在可见光范围内光吸收能力增强,并且当应变增大到11%时,PbTiO₃的吸收能力远高于本征立方相。     

In-situ SiN combined with etch-stop barrier structure for high-frequency AlGaN/GaN HEMT

The etch-stop structure including the in-situ SiN and AlGaN/GaN barrier is proposed for high frequency applications.The etch-stop process is realized by placing an in-situ SiN layer on the top of the thin AlGaN barrier.F-based etching can be self-terminated after removing SiN,leaving the AlGaN barrier in the gate region.With this in-situ SiN and thin barrier etch-stop structure,the short channel effect can be suppressed,meanwhile achieving highly precisely controlled and low damage etching process.The device shows a maximum drain current of 1022 mA/mm,a peak transconductance of 459 mS/mm,and a maximum oscillation frequency(fmax)of 248 GHz.