基于超深亚微米IC设计的信号完整性研究

随着工艺尺寸的缩小，IC设计的两大趋势是设计更复杂和对产品的设计周期要求更苛刻。在超深压微米IC设计中，设计的复杂性会导致信号完整性（SI)问题更加突出，从而会影响整个产品的设计周期。本文提出了SI概念以及影响它的因素，并针对其两个主要影响因素，串扰(crosstalk)和IR压降进行了分析讨论，并提出了解决的方案。     

利用二次函数的图像增强算法及FPGA实现

图像增强在图像处理中有着重要的作用,常用方法有直方图均衡化和灰度值线性拉伸法等,但是这两种方法对图像质量的改善不甚理想。因此,文中提出一种基于二次函数灰度值拉伸的图像增强算法,利用两段二次函数对图像进行灰度值自我调整,同时综合考虑图像对比度增强效果及硬件电路的易实现性,在Matlab上进行算法设计及仿真,在FPGA硬件平台上进行实现及验证。结果表明,所提算法能有效处理不同场景图像,处理后的图像层次感更强,质量更佳,观感更好。     

基于鲁棒主成分分析的运动目标检测优化算法

针对鲁棒主成分分析(Robust Principal Component Analysis, RPCA)算法中将动态背景误检为运动目标的问题,该文提出一种运动目标检测优化算法。在RPCA算法初步检测出运动目标后,利用动态背景在时间域上满足高斯分布的特性,以及动态背景和运动目标在整个视频流上检出点均值和方差的差异特性,进一步将动态背景和运动目标分离开来。实验结果表明,所提算法能够有效地处理动态背景的问题,并在一定程度上完整检测出运动目标。     

射频磁控溅射法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜

利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,薄膜在室温下生长,再在Ar气氛中快速退火。通过X射线衍射、X射线电子能谱、原子力显微镜和吸收谱研究了退火温度对薄膜结构、组分、形貌和禁带宽度的影响。结果表明,所制备样品为Cu2ZnSnS4多晶薄膜,具有较强的沿(112)晶面择优取向生长的特点,薄膜组分均为富S贫Cu,样品表面形貌比较均匀。退火温度为350,400,450和500℃的薄膜样品的禁带宽度分别是1.49,1.53,1.51和1.46 eV。     

PC和SE有效结合的一种设计新方法

PC和SE分别是Synopsys和Cadence公司主要用于综合和布局布线的优秀EDA工具，两者在集成电路设计中有着紧密的联系。文章在介绍传统设计流程基础上，给出了PC与SE结合的新设计流程，介绍了PC不仅做综合．还兼做布局的设计思想。文章还讨论了PC与SE结合的不兼容问题，在实践基础上提出了解决方法。这种新设计方法对缩减设计周期、增强布局布线的合理性和可靠性提供了有益的参考。     

视频解码器中插值与加权预测的硬件实现

设计了支持H.264/JVT/AVC标准和AVS标准的插值与加权预测的硬件结构。整个设计在其所属的视频解码器中是以宏块为单位处理的,内部则以可变块为单位处理。为了提高插值的速度,双向预测并行处理,在插值模块的内部则做6级流水(H.264)或8级流水(AVS)。加权预测同样也做了4级流水。整个设计在Modelsim下的仿真结果正确,用XST在VIRTEXⅡ4000,-6上综合频率为98 MHz,所用SLICE约为10 000,预期整个解码器设计能支持1080i@30fps的高清实时解码。     

长方闪烁体镜反射光收集效率的解析计算

对γ射线探测器中狭长型塑料闪烁体镜反射方式下的光收集问题进行了研究。建立了一种光传输与收集的解析模型，并结合实例计算了光收集效率。     

新奇纳米结构SiO_x的自组织生长及其发光

采用化学气相沉积法,以纳米Mg2Si和SiO2的混合粉体作为硅源,在较低温度自组织生长了大量绳状SiOx新奇纳米结构。利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜等手段对纳米结构进行了系统表征,并在室温观测到了光致发光,其发光峰峰位在560nm附近,在此基础上对该纳米结构的生长机理进行了深入的讨论。     

PCL-b-PDMS-b-PCL复合环氧树脂的表面结构

利用原子力显微镜(AFM)中的敲击模式原子力显微镜(TM-AFM)和摩擦力显微镜(FFM)对不同含量聚己内酯-b-聚二甲基硅氧烷-b-聚己内酯三嵌段(PCL-b-PDMS-b-PCL)共聚物复合环氧树脂的表面富集结构进行了分析研究. TM-AFM测试在不同作用力下得到了PCL-b-PDMS-b-PC 含量不同环氧树脂表面及其亚表面的分相结构; 同时利用FFM对其表面进行摩擦和磨损试验. 结果表明, PCL-b-PDMS-b-PCL含量不同时摩擦性能表现出较大的变化, 当其质量分数达到30%时, 表面性能达到了稳定. 接触角试验也验证了以上的结果.     

膜厚对射频磁控溅射法制备的SnS薄膜结构和光学性质的影响

利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备SnS薄膜,用X射线衍射(XRD)、能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)分别对所制备的薄膜晶体结构、组分、表面形貌、厚度、反射率和透过率进行表征分析。研究结果表明:薄膜厚度的增加有利于改善薄膜的结晶质量和组分配比,晶粒尺寸和颗粒尺寸随着厚度的增加而变大。样品的折射率在1 500~2 500 nm波长范围内随着薄膜厚度的增加而增大。样品在可见光区域吸收强烈,吸收系数达10⁵ cm^-1量级。禁带宽度在薄膜厚度增加到1 042 nm时为1.57 eV,接近于太阳电池材料的的最佳光学带隙(1.5 eV)。