TFT-LCD驱动电路的设计

薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）具有重量轻、平板化、低功耗、无辐射、显示品质优良等特点，其应用领域正在逐步扩大，已经从音像制品、笔记本电脑等显示器发展到台式计算机、工程工作站（EWS）用监视器。对液晶显示器的要求也正在向高分辨率、高彩色化发展。     

掺Sb、Mn钛酸钡系陶瓷的组成显微结构和PTC性能间的关系

本文阐述了关于掺Sb、Mn钛酸钡系陶瓷的组成、显微结构和PTC性能间的关系的实验和研究结果。阐明了当Sb、Mn的掺入量变动时,该系材料存在三个组成区(即I_1,S,I_2);其外观颜色、电性能及显微结构间存在确定的规律性关系;在ρ_(RT)最小、ρ_(max)/ρ_(min)最大的材料中,Mn和Sb的掺入量之间存在经验公式为[Sb]=A+B[Mn]的线性关系;S区内存在PTC性能较好的B组成区,以B区配方配制的材料,其ρ_(max)/ρ_(min)大于10~6,α_(min)大于60％/℃,可达100％/℃。     

陶瓷超级电容器的研究进展

介绍了新型电能储存单元陶瓷超级电容器,概述了其发展现状,以及较之现有几种电池的优势。详述了陶瓷超级电容器的结构及工作原理。从钛酸钡粉体的掺杂、粉体粒径、击穿电压三方面分析了陶瓷超级电容的关键技术。     

BNST薄膜电容的制备及电性能研究

采用磁控溅射法在覆釉95-Al2O3陶瓷基片上制备了BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2(BNST)微波介质薄膜为介质的金属-绝缘体-金属结构电容器。原子力显微镜(AFM)显示在800℃退火0.5 h后的BNST薄膜晶粒形状完整;XRD图谱显示薄膜化后BNST晶体面间距减小;电性能测试表明,1 MHz频率下BNST薄膜介电常数为77.2,介电损耗为0.25%,-55~125℃范围内介温系数为-51.8×10-6/℃,30 V偏压下漏电流密度为3.28×10-8A/cm2。     

脉冲冲击对ZnO功能陶瓷性能及微观结构影响

研究了不同配比ZnO-Al2O3陶瓷电阻率变化规律及小电流(100mA¹A)下伏安特性,最小非线性系数为1.10(掺入Al2O3摩尔分数为2.0%)。采用无毒环氧树脂封装样品,2ms方波脉冲冲击。在高能脉冲冲击下,电阻值从2.8Ω减小到0.89Ω,能量密度为887.8J/cm3。     

一种新型半波长可调滤波器设计

将Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜应用于微带电路中,采用高频仿真软件(HFSS)双模法提取耦合系数,快速设计了λ/2(λ为波长)可调滤波器。针对电路中偏压隔离部分设计了用于谐振器间的高阻偏压连线和λ/4接地线,使滤波器能采用端口加压的方式调谐,简化了调谐方式。最终设计了中心频率为7.8GHz、带宽为1GHz的带通可调滤波器。     

一种小规模LCD驱动电路IP核的设计

介绍一种全新LCD驱动电路IP核的总体设计。该IP核具有优异的移植性,能使LCD驱动电路的规模可调,而且通过微调就能驱动多数小规模LCD。采用自顶向下的设计方法将其按功能划分为几个主要模块,并分别介绍各个模块的功能。用VHDL语言对LCD驱动电路IP核进行描述,并用FPGA进行系统实现,最后通过仿真验证。     

LaAlO3（110）基片上BST薄膜的制备及性能研究

采用射频磁控溅射法在LaAlO3(110)单晶基片上制备了钛酸锶钡薄膜材料.薄膜在800℃退火30 min,结晶优良,薄膜与基片匹配良好,同时由于基片的诱导作用,薄膜在(110)方向有一定的择优取向.测得薄膜的剩余极化强度Pr=1.37 μC/cm2,矫顽电场强度Ec=31.7 kV/cm.对比不同频率下的偏压特性,100 kHz时薄膜具有最高的优值因子F,为23.4.对介电损耗在1 MHz时的增大,作出了初步的解释.     

ITO／PLZT薄膜湿法刻蚀研究

介绍了一种锆钛酸铅镧(PLZT)基铟锡氧化物(ITO)薄膜的湿法刻蚀法。用V(HCl)∶V(HNO3)∶V(H2O)=50∶3∶50的混合溶液对ITO进行不同温度的刻蚀试验。通过扫描电子显微镜(SEM)和X-射线能谱仪(EDS)分析表明,在35℃经30 nm/min刻蚀能得到图形边缘质量良好和表面无残留物的ITO图形;在同等条件下刻蚀的PLZT薄膜,刻蚀速率不及ITO的2%,表明该刻蚀方法具有良好的选择性。     

退火温度对 BNST薄膜结构和性能的影响

采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/LaAlO3(100)衬底上制备了BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2系(BNST)薄膜.研究了退火温度对BNST薄膜结构、表面形貌和介电性能的影响.X线衍射仪(XRD)分析表明,随着退火温度的升高,晶粒逐渐长大.经850℃退火处理的BNST薄膜具有很好的结晶质量.原子力显微镜(AFM)分析表明,在一定范围内提高退火温度所制备的薄膜晶粒致密、大小均匀.LCR测试分析表明,在测试频率为100 kHz时,随着退火温度的升高,BNST薄膜介电常数有所增加,介电损耗则先降低,后增加.实验表明,经850℃退火处理,所制备的BNST薄膜的介电常数达37,介电损耗小于1.2‰.