基于云计算技术的网络通信数据安全传输方法

为了解决常规网络通信数据传输方法存在的通信数据窃取问题,保证网络通信数据传输的安全性,需要基于云计算技术设计新的网络通信数据安全传输方法,制定网络通信数据安全传输协议,基于云计算技术构建网络通信数据安全传输模型,设计网络通信数据安全传输方案,实现网络通信数据安全传输。通过实验结果表明,使用设计的网络通信数据安全传输方法传输后,被窃取的通信数据数量较常规方法少,证明设计的网络通信数据安全传输方法的传输安全性较高,传输效果较好,具有可靠性,可以作为后续网络通信数据加密传输的参考。     

PZT铁电薄膜的反应离子刻蚀研究

介绍了一种刻蚀效果良好的PZT铁电薄膜反应离子刻蚀方法.利用深反应离子刻蚀设备研究了反应离子刻蚀中刻蚀气氛、刻蚀功率及刻蚀气体流量等因素对PZT薄膜刻蚀效果的影响.实验结果表明,刻蚀气体采用SF6、刻蚀功率为250 W、SF6/Ar总流量为25 cm3/min(其中SF6:Ar为20:5)时刻蚀效果最优.利用优化后的工艺条件制作出可用于铁电存储器的铁电电容并测试其电学特性,得到了较理想的电滞回线和漏电流.     

LTCC基板砂轮划片工艺研究

通过正交试验确认了导致LTCC(低温共烧陶瓷)基板砂轮划片背面崩边的主要因素,基于对各个主要因素的分析,优化了砂轮划片方案,有效地解决了背面崩边问题,获得了高质量的划片效果。     

高耐压LDMOS用的高K薄膜湿法刻蚀研究

为了对横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件所采用的锆钛酸铅(PZT)高介电常数(高K)薄膜进行微图形化,对湿法刻蚀过程中腐蚀液、光刻、刻蚀等工艺进行了优化研究,发现由BOE+HCl+HNO3+H2O+缓冲剂组成的腐蚀液刻蚀效果较好。刻蚀结果表明,所刻蚀薄膜的厚度约为600nm,最小线条宽度约为3μm,侧蚀比减小到1.07∶1,符合功率器件制备的尺度要求,由此所制备的LDMOS器件耐压提高了近2倍。     

抗辐射双极n-p-n晶体管的研究

根据发射极周长与面积比(P/A)最小的原则,优化设计了双极n-p-n晶体管的尺寸参数,采用20 V双极型工艺设计制造了三种抗辐射加固的n-p-n晶体管.测试表明,在总剂量为1 kGy的辐照条件下,所制备的发射结加固型n-p-n晶体管和含有重掺杂基区环的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高10%-15%;而两种加固措施都有的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高15%-20%. 关键词： 双极n-p-n晶体管 辐射效应 电流增益 抗辐射