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建立了适用于缓变 Alx Ga0 .5 2 -x In0 .48P/Ga As HBT的解析模型。考虑了 Al组分 x的变化对 HBT温度特性的影响。分析结果表明 ,在实用的电流范围 (Jc在 1 0 3 A/cm2 左右 )内 ,Alx Ga0 .5 2 -xIn0 .48P/Ga As HBT随着 x的增大 ,其电流增益的稳定性也上升 ,当 x=0 .3时工作温度可超过 70 0K。文章还分析了高温时 HBT电流增益下降的原因 相似文献
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建立了Al0.3Ga0 22In0.48P/GaAs异质结双极型晶极管(HBT)中电流输运过程的模型,利用实验得到的材料特性参数进行了HBT电流增益随温度变化的模拟。随着温度上升,小电流时电流增益下降较多,而大电流时电流增益基本保持不变.模拟表明,小电流下电流增益的下降主要是由eb结空间电荷区的复合电流随温度增加而造成的;而大电流下电流增益直至723K下降仍小于10％.最高工作温度可达848K.由于采用的计算方法充分考虑了空间电荷区复合电流的影响,模拟结果较为符合实际情况,可为研制高性能HBT器件所需材料提供参考依据。 相似文献
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高温Al_(0.3)Ga_(0.22)In_(0.48)P/GaAsHBT电流增益的计算分析 总被引：3，自引：1，他引：2
建立了Ａｌ０．３Ｇａ０．２２Ｉｎ０．４８Ｐ／ＧａＡｓ异质结双极型晶极管（ＨＢＴ）中电流输运过程的模型,利用实验得到的材料特性参数进行了ＨＢＴ电流增益随温度变化的模拟．随着温度上升,小电流时电流增益下降较多,而大电流时电流增益基本保持不变．模拟表明,小电流下电流增益的下降主要是由ｅｂ结空间电荷区的复合电流随温度增加而造成的;而大电流下电流增益直至７２３Ｋ下降仍小于１０％．最高工作温度可达８４８Ｋ．由于采用的计算方法充分考虑了空间电荷区复合电流的影响,模拟结果较为符合实际情况,可为研制高性能ＨＢＴ器件所需材料 相似文献
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