GaN HEMT可靠性光学测试技术研究进展

氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)具有高工作电压、大功率密度、高截止频率等特点,被广泛应用于微波射频领域。然而GaN材料内部的结构缺陷降低了GaN HEMT的可靠性,因此研究器件的结构缺陷对于提升其可靠性具有重要意义。综述了电致发光(EL)、光致发光(PL)、阴极荧光(CL)、显微拉曼光谱和红外(IR)热成像五种光学测试技术的基本原理和实验系统,以及近年来国内外利用相关光学测试技术分析GaN HEMT可靠性的研究进展。分析了五种光学测试技术的优势和局限性,与电学测试技术相比,光学测试技术可以确定缺陷的类型及空间位置。不同测试技术的相互补充将为GaN HEMT可靠性研究提供更加系统化的方案。     

GaN HEMT外延材料表征技术研究进展

氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表,具有高击穿电场强度和高热导率等优异的物理特性,是制作高频微波器件和大功率电力电子器件的理想材料.GaN外延材料的质量决定了高电子迁移率晶体管(HEMT)的性能,不同材料特征的表征需要不同的测量工具和技术,进而呈现器件性能的优劣.综述了GaN HEMT外延材料的表征技术,详细介绍了几种表征技术的应用场景和近年来国内外的相关研究进展,简要总结了外延材料表征技术的发展趋势,为GaN HEMT外延层的材料生长和性能优化提供了反馈和指导.