外延生长的Gd掺杂CeO2薄膜内位错的透射电子显微学表征

利用脉冲激光沉积（ pulsed laser depositon, PLD）方法在YSZ（ Y2 O3 stabilised zirconia）单晶衬底上外延生长了Gd掺杂的CeO2薄膜（gadolinium doped CeO2,GDC）。利用透射电子显微镜（TEM）对GDC／YSZ界面以及GDC薄膜内部的位错结构进行了表征。实验发现,界面处存在周期性分布的失配位错,界面失配主要通过失配位错释放。 GDC薄膜内部存在两种不同的位错,其中一种为纯刃型位错,另外一种为混合型位错。     

TLD目标跟踪算法综述

TLD目标跟踪算法将检测和跟踪同时加入跟踪框架,并引入半监督机器学习算法对锁定目标不断学习以捕获其最新外观,使目标无处可逃,从而实现对未知目标的长时跟踪.简要介绍了TLD算法的理论背景和系统框架,并指出其存在的主要缺陷.然后对各个缺陷所提出的改进方法进行详细地综述,并给出自己的评述.最后总结全文并展望TLD目标跟踪算法在未来几年的发展趋势.     

ZnGeN2晶体的结构和物性表征

ZnGeN2的带隙宽度与GaN仅相差100meV，而且其相似的化合物ZnSiN2和ZnSnN2分别具有较大和较小的带隙宽度，因此，ZnGeN2-ZnSiN2-ZnSnN2合金有潜力形成类似于GaN-AlN-InN的半导体体系。此外，ZnGeN2的晶格常数与GaN相差不到百分之一，也有可能作为GaN晶体生长的基体。但是，目前对ZnGeN2晶体生长，结构和物理性能研究的报道较少。     

β-Ni3Nb相单个平移畴界的相干电子微衍射研究

本文采用ＨＦ－２０００ＦＥＧ电镜对Ｚｈａｎｇ等＾「７」已经用ＨＲ－ＴＥＭ高分辨技术研究的β－Ｎｉ３Ｎｂ相的几种单个平移畴界进行了相干电子微衍射研究,不但对已发现Ｒ１＝「１／２,０,０」和Ｒ２＝１／４「１０２」型平移畴界进行了微衍射分析,而且发现了Ｒ５＝「１／４,１／２,０．８１」型平移畴界。     

淬火态Al-Zn-Mg-Cu合金中位错环的形成机理研究

采用透射电子显微镜和原位拉伸实验,研究了淬火态Al-Zn-Mg-Cu合金中三种不同组态的位错环及其形成机理。包括因Al₃Zr析出相颗粒与Al基体晶格失配及热膨胀系数差异在Al₃Zr颗粒周围形成的位错环;蜷线位错分解形成的位错环;以及因微区成分不均匀或局部缺陷导致的滑移带前端位错绕过或交滑移形成的位错环。研究表明,通过对纳米析出相在Al基体中微观组态的控制和高温淬火处理,可以调控Al合金中位错环的尺寸和三维空间分布。     

实空间动力学衍射传播因子的精确计算与分析

分析了实空间动力学衍射传播因子计算中的一些规律性问题，给出了克服发散问题的解决方法，并从理论上进行了分析，从而使实空间动力学衍射计算得以有效进行 关键词：     

Laves相Cr_2 Nb中棱锥面层错结构的像差矫正电子显微学分析CSCD

本文利用像差矫正透射电子显微镜,在具有C14结构的Laves相Cr2Nb中观察到两种新型的(1101)棱锥面层错结构,并对这些层错的精细构型进行了分析。结果表明:这两种棱锥面层错具有形状特异的结构单元,同时原有的Laves相中的原子配位数也发生改变,在其中一种层错内还形成了拓扑密堆相中不常见的13配位数。这两种新的堆垛方式丰富了对拓扑密堆相中缺陷结构的认识。     

γ′相的尺寸梯度对富钴镍基高温合金变形机制的影响

本文借助像差校正透射电子显微镜研究了富钴镍基高温合金在高温拉伸变形过程中不同尺度的γ′相对合金变形机制的影响。研究发现,随着γ′相尺寸的增加,基体位错以位错对的方式切割γ′相逐渐转变为以Orowan机制绕过γ′相,并在其周围形成位错环;而不全位错能否切入γ′相主要取决于层错的类型(内禀或外禀),与γ′相的尺寸无关。同时发现,层错之间的交互作用能够促使内禀层错转变为外禀层错并可逐步增加错排片层数量,最终演变为可剪切所有尺寸γ′相的变形孪晶。本文对γ′相尺寸效应的影响以及层错转变为孪晶的过程的研究将有利于对后续合金设计提供理论参考。