在TMS320C5510上实现 TD- SCDMA终端的信道编解码

TD—SCDMA是中国提出的第三代移动通信标准，其终端系统的信道编解码既要考虑到芯片的处理能力，又要充分利用芯片的专用指令来提高运算效率。通过对TD—SCDMA系统及其信道编解码过程和TMS320C5510芯片的详细研究，经过大量的编程和调试工作，高效地在TMS320C5510平台上实现了TD—SCDMA终端的信道编解码处理。     

基于优化变分模态分解的混合储能平抑风电波动策略

为解决风力发电随机、间歇特性造成的功率波动问题，文中提出将氢气储能和超级电容器组合成混合储能系统接入风电场中，以平抑风电波动。采用滑动平均滤波确定并网功率和混合储能功率；在储能功率分配方面，针对现有VMD算法参数选择上存在主观性和经验性的问题，提出使用灰狼优化算法对分解个数K及惩罚项α进行寻优，避免分解后各模态之间发生频率混叠的现象。此外，为将各储能设备荷电状态维持在合理范围内，避免过度充放电，采用模糊控制对功率指令进行二次修正。最后以新疆某地区的风电场数据为依据，在Matlab/Simulink中进行仿真，仿真结果表明所提策略具有有效性。     

运营商反电信诈骗技术手段研究

电信诈骗给社会带来巨大利益损失,运营商需要从网络侧研究如何有效地进行反诈工作,而反诈工作的核心任务是发现网络中伪造身份的通信行为.本文提出了一套通用的反诈流程,能够有效发现网络中存在的伪造身份通信行为,针对流程中的每一个环节,介绍了相关技术手段和算法.最后,本文介绍了如何结合多种技术手段发现网络中的诈骗事件.     

蒙特卡罗方法模拟金属-半导体接触的直接隧穿效应

运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应.模拟的内容包括具有不同的势垒高度的金属-半导体接触在正向和反向偏置下的工作状态.分析模拟结果可知,隧穿电流在反向偏置下起主要的作用.同时还模拟了引入肖特基效应后,SBD的工作特性,验证了模拟使用的物理模型.得到了与理论计算值符合的模拟结果.分析模拟结果表明,由于肖特基效应形成的金属-半导体接触势垒的降低,会在很大程度上影响金属-半导体接触的输运特性.     

拉普拉斯特征耦合方差度量的图像匹配算法

为了解决当前图像匹配算法主要是通过像素点间的距离信息来实现特征匹配,忽略了图像间的方差信息,导致匹配结果中存在较多的错误匹配等不足,本文提出了一种基于拉普拉斯特征制约与方差度量的图像匹配方法。首先,引入Harris算子,对图像特征进行粗提取,并利用像素点的拉普拉斯特征,删除伪特征点,对粗提取的图像特征进行优化,获取更为准确的图像特征。然后,依据图像的梯度特征来计算图像特征的方向信息,以此建立特征点的邻域,通过求取该范围内的Haar小波值,从而得到特征向量。采用区域方差模型对图像的方差信息实施度量,并联合特征点的欧氏距离,对特征点进行更为准确的匹配。最后,采用随机样本一致性(RANSAC)机制对特征匹配结果实施优化,剔除其中的错误匹配,从而完成图像匹配。实验结果显示：较当前较为先进的匹配算法而言,在旋转、缩放等几何变换干扰下,所提算法具备更高的匹配准确率,维持在90%以上。     

Carriers recombination processes in charge trapping memory cell by simulation

We have evaluated the effects of recombination processes in a charge storage layer, either between trapped electrons and trapped holes or between trapped carriers and free carriers, on charge trapping memory cell＇s performances by numerical simulation. Recombination is an indispensable mechanism in charge trapping memory. It helps charge convert process between negative and positive charges in the charge storage layer during charge trapping memory programming/erasing operation. It can affect the speed of programming and erasing operations.     

DS12887的中断屏蔽失效及其解决方案

针对实际应用中遇到的时钟芯片DS12887所存在的中断屏蔽失效问题,通过对其中断系统的剖析,找到中断屏蔽失效的原因,最后提出解决中断屏蔽失效的方案并最终解决问题。     

Simulation of carrier transport in heterostructures using the 2D self-consistent full-band ensemble Monte Carlo method

We demonstrate a two-dimensional(2D) full-band ensemble Monte-Carlo simulator for heterostructures, which deals with carrier transport in two different semiconductor materials simultaneously as well as at the boundary by solving self-consistently the 2D Poisson and Boltzmann transport equations(BTE).The infrastructure of this simulator,including the energy bands obtained from the empirical pseudo potential method,various scattering mechanics employed,and the appropriate treatment of the carrier transport...     

全空间上带Hardy-Sobolev项的拟线性椭圆方程解的存在性

讨论了全空间上一类带Hardy-Sobolev项的拟线性椭圆问题,利用集中紧原理和适当的实验函数,得到并验证了(PS)_c条件,从而证明了该问题非平凡解的存在性.     

A physical-based pMOSFETs threshold voltage model including the STI stress effect

The physical threshold voltage model of pMOSFETs under shallow trench isolation(STI) stress has been developed.The model is verified by 130 nm technology layout dependent measurement data.The comparison between pMOSFET and nMOSFET model simulations due to STI stress was conducted to show that STI stress induced less threshold voltage shift and more mobility shift for the pMOSFET.The circuit simulations of a nine stage ring oscillator with and without STI stress proved about 11%improvement of average delay time.This indicates the importance of STI stress consideration in circuit design.