反射率探测法对激光化学汽相沉积的实时监测

本文描述了一个对激光诱导化学汽相沉积进行实时监测的反射率测量方法,并给出了钨在硅和氮化钛基片上沉积过程的实验结果。     

钨在硅和氮化钛上的激光化学汽相沉积实验研究

本文介绍了用激光化学汽相沉积的方法在Si和TiN基板上沉积钨的实验研究。沉积过程由反射率探测法实时监测,实验结果表明:钨的沉积速率依赖于WF_6和H_2的比例、压力、激光功率和基板的物理性质。实验得到了3μm宽的钨膜。     

有机胶体掺杂剂的激光辐照半导体掺杂

激光技术应用于半导体研究近年来一直引起了人们的重视,如离子注入杂质后的激光退火、外延层的生成等。我们研究了一个与以前不同的方法,在硅单晶表面直接涂一层有机胶体掺杂剂,然后用一个高功率红宝石脉冲激光直接辐照,形成一个浓度很高的掺杂层。 我们用一个<111>P型硅单晶片作为基板,其电阻率为10欧姆·厘米,经清洁处理后,表面涂上一层含有磷的有机胶体掺杂剂,然后用一台TEM_(oo)模、脉冲宽度20毫微米、输出能量约400毫焦耳的调Q红宝石激光器进行辐照,在硅单晶片上的光斑直径为0.5厘米,分别进行了单次和多次辐照,辐照后的硅单晶片,用HF进行腐蚀,测量了生成P-N结的伏安、反向特性和光电效应。生成的二极管具有良好的特性。同时我们在同类的硅单晶片上,用MASK     

利用楔环阵列探测器检测带菌细胞的频谱

各种不同的光学图象,都有它们自己的特征空间频谱,例如矩孔的频谱是Sinc函数,圆孔的频谱是贝塞尔函数;带有球菌的细胞和带有杆菌的细胞,它们之间的频谱就有相当明显的差别。这种差别使人们可以利用频谱分析的方法对物体的自动分类、筛选和识别成为可能。 当一个位于变换透镜前的光学图象受到准直的He-Ne激光照射后,在透镜的后焦面上便形成该光学图象的频谱。这个频谱是对它的中心对称分布的,中心点的频率为零,离中心点的距离增大时其空间频率也增大。利用楔环阵列探测器,可将两维分布的功率谱同时进行采样和检测,所测得的信号经放大后输入记录仪或计算机进行处理。     

小角度磨角器及其在集成电路工艺中的应用

本文介绍一种小角度(<1°)磨角装置,其磨角的斜率在1/1000～15/1000范围内连续可调,剖面的纵向分辨率可达100A.     

用冷阴极电子束快速处理金属-硅薄膜生成硅化物

研究了用于大规模和超大规模集成电路布线和MOS晶体管栅极的难熔金属硅化物,WSi_x和TiSi_x的电子束快速、低温条件下生成的新方法.采用一种新型冷阴极辉光放电的低能大面积电子束装置.处理时间为几十秒.测量了硅化物的电导,薄膜成分结构以及表面的光散射特性.结果表明经过电子束处理的薄膜,形成了良好的硅化物;并且还出现了某些独特的(110)晶面择优生长的结构特性.由于处理时间短,温度低,这种快速处理方法有希望用于VLSI研究.     

用于空间频谱分析的楔、环阵列探测器的研制和特性

在混合型频谱分析系统中,楔、环阵列探测器可用作光学系统和电子系统之间的连接器件,对光信号采样后输入计算机处理。我们的实验室设计和研制的这种探测器具有32个半圆环状探测器以检测径向信号32个楔形探测器以检测方位信号。该探测器在一块直径约32mm的硅片上制成,采用控制扩散过程以获得均匀的响应率和灵敏度。楔形探测器和与楔形探测器面积相当的半圆环探测器的平均响应率约为0.5mA/mW,时间常数约为150μs。若用焦距为240mm的变换透镜,光源为6328(?)的氦氖激光时,空间频率带宽可高达100周。     

大面积电子束对硼离子注入硅片快速退火的研究

本文介绍了一种采用冷阴极大面积电子束对硼离子注入硅片快速退火的实验方法。测试分析结果表明:本法与常规退火方法相比,除了有相同的电激活和晶格恢复之外,还具有快速、低温和杂质再分布影响小等特点。     

钨—硅共溅薄膜中形成硅化钨的喇曼光谱

用喇曼光谱的方法研究了钨-硅共溅薄膜中形成的硅化钨的特性,得到了二硅化钨的喇曼位移峰:333cm~(-1)和456cm~(-1)。实验表明喇曼光谱学方法可以实现对钨-硅薄膜中硅化钨的快速形成过程进行实时监测。