冷机低阻通路下的潜通电路分析及隔离方法

介绍了潜通电路的概念和分析方法,指出冷机低阻通路是在工程实际中形成潜通电路的典型原因以及冷备份电路和先后上电电路两种常见的潜通表现形式,提出了采用二极管、三态门、集电极开路(OC)输出、光电隔离和选用开关电源等5种电路潜通隔离方法,并阐述了各种方法的潜通隔离原理,可用于指导潜通电路的分析及其隔离防护电路的设计.     

一种基于暂时分解的高效线谱频率参数量化方法

本文基于二阶暂时分解模型,利用LSF参数的有序性,给出了一种用于LSF参数压缩的TD算法,在参数未量化的情况下可获得约为1.28dB的平均谱失真,对表征随时间变化的LSF参数序列的事件函数和事件函数矢量分别进行矢量量化,实验结果表明编码速率在500b/s以下时,能够获得一个相对较低的平均谱失真.     

条件接收系统与机顶盒兼容的设计及实现

条件接收(CA)系统与机顶盒(STB)的兼容能力已经成为数字收费电视前端接收装置中的一个重要课题。DVB标准对同密和多密技术的规定能够实现任意的机顶盒接收由不同的CA系统加密的节目。但其中存在不少弊端。本文介绍了另一种条件接收系统-机顶盒兼容的解决方案。此方案基于在机顶盒中下载应用软件。它能够实现条件接收系统-机顶盒完全兼容，而且，最小程度地减小当前条件接入系统的更换。     

非制冷热释电薄膜红外探测器热绝缘结构的研制

采用由多孔SiO2薄膜和过渡SiO2薄膜组成的复合薄膜结构实现了非制冷热释电薄膜红外探测器的热绝缘.利用溶胶凝胶方法制备了多孔SiO2薄膜以及过渡SiO2薄膜,通过优化制备工艺,使得多孔SiO2一次成膜厚度达到3070nm,孔率达到59%;过渡SiO2一次成膜的厚度达到188nm,孔率达到4%.AFM表明,由过渡SiO2薄膜与多孔SiO2组成的复合薄膜结构的表面粗糙度远小于多孔SiO2薄膜的表面粗糙度.该热绝缘结构有利于探测器后续各层功能薄膜的集成.     

一种新的2kbit/s波形内插语音编码器

基于传统的波形内插语音编码模型,提出了一种新的2kbit/s语音编码方案。该方案在编码端去除了传统方法中复杂的对齐运算,在译码端用三次B样条插值取代传统的线性插值。慢渐变波形只量化低频分量,而快渐变波形用正交多项式拟合,并采用合成-分析技术对其进行矢量量化。DRT测试结果表明,该2kbit/s语音编码方法能获得高可懂度的重建语音。     

二硫化铼的原位高压偏振拉曼光谱

高压调控是一种能够对材料的结构、电学、光学等物理特性实现高效、连续且可逆变化的实验手段;拉曼光谱则是一种能够对材料的晶相等结构信息实现精准、快速、无损分析的研究方法.本文结合了金刚石对顶砧高压技术和原位偏振拉曼光谱技术,对二硫化铼(ReS₂)晶体的拉曼振动模式随压强的演变过程进行了深入研究.实验发现ReS₂的常压相(1T’)在3.04 GPa的压强下转变为一个扭曲1T’相,继而在14.24 GPa压强下发生了Re₄原子簇的层内形变,并且在22.08和25.76 GPa分别发生了不同方向的层间无序叠加向有序叠加的转变.这一系列独特的实验现象充分展现了该二维材料的面内各向异性,并证实ReS₂晶体的各向异性随压强的增加而变得愈发显著.本文研究表明压强在调节材料性能方面的关键作用,揭示了ReS₂晶体在制备各向异性光学器件和光电器件等方面的潜力.     

非制冷热释电薄膜红外探测器热绝缘结构的研制

采用由多孔 Si O2 薄膜和过渡 Si O2 薄膜组成的复合薄膜结构实现了非制冷热释电薄膜红外探测器的热绝缘 .利用溶胶凝胶方法制备了多孔 Si O2 薄膜以及过渡 Si O2 薄膜 ,通过优化制备工艺 ,使得多孔 Si O2 一次成膜厚度达到30 70 nm ,孔率达到 5 9% ;过渡 Si O2 一次成膜的厚度达到 1 88nm,孔率达到 4 % .AFM表明 ,由过渡 Si O2 薄膜与多孔Si O2 组成的复合薄膜结构的表面粗糙度远小于多孔 Si O2 薄膜的表面粗糙度 .该热绝缘结构有利于探测器后续各层功能薄膜的集成     

纸质构件力学性能试验研究

对铅化纸制作的纸杆和纸带进行了力学试验, 分析了其力学性能, 结果表明:纸杆应力应变曲线存在线弹性段, 弹性模量主要集中在200$\sim$400\,MPa, 并具有一定的离散性. 而纸带抗拉曲线呈明显的非线性特征, 极限拉应变主要集中在0.015$\sim 对铅化纸制作的纸杆和纸带进行了力学试验, 分析了其力学性能, 结果表明:纸杆应力应变曲线存在线弹性段, 弹性模量主要集中在200$\sim$400\,MPa, 并具有一定的离散性. 而纸带抗拉曲线呈明显的非线性特征, 极限拉应变主要集中在0.015$\sim 对铅化纸制作的纸杆和纸带进行了力学试验, 分析了其力学性能, 结果表明:纸杆应力应变曲线存在线弹性段, 弹性模量主要集中在200$\sim$400\,MPa, 并具有一定的离散性. 而纸带抗拉曲线呈明显的非线性特征, 极限拉应变主要集中在0.015$\sim 对铅化纸制作的纸杆和纸带进行了力学试验, 分析了其力学性能, 结果表明:纸杆应力应变曲线存在线弹性段, 弹性模量主要集中在200$\sim$400\,MPa, 并具有一定的离散性. 而纸带抗拉曲线呈明显的非线性特征, 极限拉应变主要集中在0.015$\sim对铅化纸制作的纸杆和纸带进行了力学试验,分析了其力学性能,结果表明:纸杆应力应变曲线存在线弹性段,弹性模量主要集中在200～400 MPa,并具有一定的离散性.而纸带抗拉曲线呈明显的非线性特征,极限拉应变主要集中在0.015～0.025之间,纸带的粘结状态对试件的极限拉应变有较大的影响.     

一种基于MDFT的频带扩展技术

提出了一种基于离散傅里叶变换(MDFT)域的频带扩展技术,可有效地提高音频编码效率。相对于既有方法,本方法在MDFT域进行频带扩展,能与低频编码所采用的MDCT变换相协调,有效利用低频编码过程中的既有数据,通过灵活的块切换方式来有效提高高频参数编码的效率。通过由MDCT域频谱转换得到MDFT域频谱数据,避免了进行MDFT时频变换,从而在保持音频信号编码质量的前提下,有效降低了解码器的计算复杂度。     

Investigation of gate oxide traps effect on NAND flash memory by TCAD simulation

The effects of gate oxide traps on gate leakage current and device performance of metal–oxide–nitride–oxide–silicon(MONOS)-structured NAND flash memory are investigated through Sentaurus TCAD. The trap-assisted tunneling(TAT)model is implemented to simulate the leakage current of MONOS-structured memory cell. In this study, trap position, trap density, and trap energy are systematically analyzed for ascertaining their influences on gate leakage current, program/erase speed, and data retention properties. The results show that the traps in blocking layer significantly enhance the gate leakage current and also facilitates the cell program/erase. Trap density ~10¹⁸ cm^-3 and trap energy ~ 1 eV in blocking layer can considerably improve cell program/erase speed without deteriorating data retention. The result conduces to understanding the role of gate oxide traps in cell degradation of MONOS-structured NAND flash memory.