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对双极型晶体管△VBE瞬态热阻测试法中晶体管壳温波动和测量延迟时间的误差进行了分析,提出了提高测试精度的误差修正方法.以3DK457(F0金属封装)双极晶体管为实验对象进行了研究,结果表明:晶体管瞬态热阻△VBE修正测试方法与红外扫描热像法和标准电学法相比较在保持较高测量精度的前提下,测试成本低,测量效率高.
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对双极型晶体管△VBE瞬态热阻测试法中晶体管壳温波动和测量延迟时间的误差进行了分析,提出了提高测试精度的误差修正方法.以3DK457(F0金属封装)双极晶体管为实验对象进行了研究,结果表明:晶体管瞬态热阻△VBE修正测试方法与红外扫描热像法和标准电学法相比较在保持较高测量精度的前提下,测试成本低,测量效率高.
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为了在试验周期中了解晶体管的结温,提出一种在功率晶体管稳态工作寿命试验过程中结温的测量与控制方法.着重介绍了基于理想pn结肖克莱方程的结温测量原理,及试验过程中结温测控的技术难点和解决方案,指出了晶体管结温计算中存在的问题和修正办法,实验结果证明了该方法的可行性.
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MEMS的可靠性是其能否成功应用的一个关键。本文对MEMS可靠性测试的要求与可靠性测试系统ShiMMeR进行了分析,通过对MEMS的可靠性实验与失效模型的综述,对MEMS的可靠性设计进行了探讨。
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对双极型晶体管ΔVBE瞬态热阻测试法中晶体管壳温波动和测量延迟时间的误差进行了分析,提出了提高测试精度的误差修正方法.以3DK457(F0金属封装)双极晶体管为实验对象进行了研究,结果表明:晶体管瞬态热阻ΔVBE修正测试方法与红外扫描热像法和标准电学法相比较在保持较高测量精度的前提下,测试成本低,测量效率高.
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