一种基于场强差的GSM网络移动台定位法

提出了一种在GSM无线蜂窝网络中利用服务BS（基站）和MS（移动台）测量的场强差值对MS进行定位的方法。通过计算机的仿真结果表明，该方法能够较好地克服多径和不规则地形带来的场强起伏，达到较高的定位精度。通过提出的的算法，可以克服传统的利用GSM蜂窝网络对移动台定位的局限性，从而使利用GSM蜂窝网络对移动台位置定位的实现更简单。     

Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector

The samples of In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As two-dimensional electron gas(2DEG)are grown by molecular beam epitaxy(MBE).In the sample preparation process,the In content and spacer layer thickness are changed and two kinds of methods,i.e.,contrast body doping andδ-doping are used.The samples are analyzed by the Hall measurements at 300 Kand 77 K.The In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As 2DEG channel structures with mobilities as high as 10289 cm~2/V·s(300 K)and42040 cm~2/V·s(77 K)are obtained,and the values of carrier concentration(Nc)are 3.465×10~(12)/cm~2and 2.502×10~(12)/cm~2,respectively.The THz response rates of In P-based high electron mobility transistor(HEMT)structures with different gate lengths at 300 K and 77 K temperatures are calculated based on the shallow water wave instability theory.The results provide a reference for the research and preparation of In P-based HEMT THz detectors.     

GaAs基InAs/AlSb二维电子气结构的生长优化（英文）

采用分子束外延设备(MBE),外延生长了InAs/AlSb二维电子气结构样品.样品制备过程中,通过优化AlGaSb缓冲层厚度和InAs/AlSb界面厚度、改变AlSb隔离层厚度,分别对比了材料二维电子气特性的变化,并在隔离层厚度为5nm时,获得了室温电子迁移率为20500cm~2/V·s,面电荷密度为2.0×1012/cm~2的InAs/AlSb二维电子气结构样品,为InAs/AlSb高电子迁移率晶体管的研究和制备提供了参考依据.     

基于改进中值滤波和提升小波变换的阈值去噪方法研究

对于实际拍摄的一些图像信噪比低,噪声密度大,且含有混合噪声,而现有算法大多只能去除单一噪声的问题。针对混合噪声中含有的脉冲噪声和高斯噪声,提出基于改进中值滤波和提升小波变换去噪相结合的方法。去噪过程中,使用中值滤波器提取脉冲噪声并采用中值滤波算法滤波后,构造提升小波,采用改进阈值函数提升小波阈值去噪方法去除高斯噪声。实验结果表明,当噪声值(,)=(0.4, 20)时,采用本文去噪方法,峰值信噪比（PSNR）为34.002 1,平均绝对误差（MAE）为2.365 3。     

含磷超支化阻燃剂改性环氧树脂研究进展

综述了近年来含磷超支化阻燃剂改性环氧树脂（EP）的研究进展,主要包括含磷杂菲基团超支化阻燃剂、超支化聚磷酸酯阻燃剂、超支化含磷/氮阻燃剂和超支化含磷/氮/硅阻燃剂等其他类型超支化阻燃剂,介绍了不同类型的阻燃剂对EP的阻燃性能和机械性能的影响,并总结对比了添加不同阻燃剂后EP复合材料的阻燃性能、机械性能、玻璃化转变温度（Tg）等性能,最后指明了超支化阻燃剂当前面临的主要挑战并展望了未来的发展趋势。     

蝶形天线增强的共振隧穿二极管太赫兹探测器研究

采用分子束外延技术制备了基于共振隧穿二极管的探测器样品。为提高探测响应度,探测器采用蝶形天线增强太赫兹电场强度,并以0.2THz入射频率为参考对天线结构进行设计。测试采用输出功率为20 mW的太赫兹源,室温下在有无太赫兹波辐照时分别进行电流-电压(I-V)测试,峰值电压为1.398V。对比最大电流值之差,计算得到探测器响应度为20mA·W~(-1),噪声等效功率为15nW·Hz~(-0.5),并通过测量探测器对不同角度入射太赫兹波的响应,验证了天线对太赫兹电场的增强作用。     

HEMT太赫兹探测器的二维电子气特性分析

采用分子束外延技术(MBE)对GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气(2DEG)样品进行了制备,样品制备过程中,通过改变Al的组分含量、隔离层厚度、对比体掺杂与δ掺杂两种方式,在300 K条件下对制备的样品进行了霍尔测试,获得了室温迁移率7.205E3cm~2/Vs,载流子浓度为1.787E12/cm~3的GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气沟道结构,并采用Mathematica软件分别计算了不同沟道宽度时300 K、77 K温度下GaAs基HEMT结构的太赫兹探测响应率,为HEMT场效应管太赫兹探测器的研究和制备提供了参考依据.     

Optimization of wide band mesa-type enhanced terahertz photoconductive antenna at 1550 nm

A mesa-type enhanced InGaAs/InAlAs multilayer heterostructure(MLHS) terahertz photoconductive antenna(PCA)at 1550 nm is demonstrated on an InP substrate. The InGaAs/InAlAs superlattice multilayer heterostructures are grown and studied with different temperatures and thickness ratios of InGaAs/InAlAs. The PCAs with different gap sizes and pad sizes are fabricated and characterized. The PCAs are evaluated as THz emitters in a THz time domain spectrometer and we measure the optimized THz bandwidth in excess of 2 THz.     

蝶形天线增强的InP基室温HEMT太赫兹探测器研究

采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10 289 cm2/（Vs）。通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了蝶形天线耦合的太赫兹探测器件。器件采用的蝶形天线经HFSS软件仿真优化后,天线S11参数为-40 dB,电压驻波比（VSWR）为1.15,增益可达6 dB,并与二维电子气沟道实现阻抗匹配。在VDI公司0.3 THz肖特基二极管太赫兹源辐照下进行器件测试,测试结果表明,室温下器件噪声等效功率（NEP）为40 nW/Hz1/2,探测响应度46 V/W,器件响应时间优于330 s。     

基于特征匹配的快速鲁棒数字稳像

针对手持移动摄像装置拍摄视频序列相邻帧间存在平移、小角度旋转运动,而且易受噪声、光照变化的影响等问题,提出一种基于优化Oriented FAST and rotated BRIEF(ORB)特征匹配的实时鲁棒电子稳像算法。对相邻帧预处理后用Oriented FAST算子检测特征点,再用Rotated BRIEF描述提取的特征点并采用近邻汉明距离匹配特征点对,然后采用级联滤波去除误匹配点对,最后使用迭代最小二乘法(ILSM)拟合模型参量进行运动补偿实现稳像。图像匹配测试和稳像实验结果表明:基于改进的ORB算法的电子稳像方法补偿每一帧的时间均小于0.1 s,定位精度可达亚像素级,能有效补偿帧间平移旋转运动,而且对噪声和光照变化有较强鲁棒性。经稳像处理后,实拍视频质量明显提高,峰值信噪比（PSNR）平均提高了10 db。