偏氟乙烯/三氟氯乙烯交替共聚物在TATB表面吸附的分子动力学模拟

采用COMPASS力场和NVT正则系综的动力学模拟方法, 搭建了聚合度分别为10, 50和100的偏氟乙烯(VDF)/三氟氯乙烯(CTFE)交替共聚物, 对交替共聚物在1,3,5-三氨基-2,4,6-三硝基苯(TATB)的(0,0,1)晶面上的吸附和结构进行了分子动力学(MD)模拟. 结果表明, 在300～320 K温区, 聚合度为100的VDF/CTFE交替共聚物链对TATB晶体有理想的表面活性和吸附能力, 以train型构象平铺于TATB表面. 通过对聚合度为10的交替共聚物的多链体系在TATB表面吸附的MD模拟, 表明了VDF/CTFE交替共聚物具有非凝聚吸附的高表面活性特征. 对搭建的乙酸乙酯溶剂化的聚合度为50的VDF/CTFE交替共聚物在TATB晶体表面吸附的模拟, 实验证明了溶剂小分子能够降低共聚物链的吸附能力, 且链以tail型构象吸附于TATB表面.     

两个具有混合卤素桥的闭式十二顶双镍十硼烷簇合物的合成与结构

研究了[NiX_2(PPh_3)_2](X = Br, I)在二氯甲烷等溶剂中与B_(10)H_(10)~ (2-)的反应，对形成的族合物[(μ-Br_(0.85)Cl_(0.15)-(Ph_2PC_6H_4)_2Ni_2B_ (10)H_6Cl(PPh_3)]·0.5CH_2Cl_2(1), [(μ-I_(0.1)Cl_(0.9)(Ph_2PC_6H_4) _2Ni_2B_(10)H_6Cl(PPh_3)]·0.25CH_2Cl_2(2)进行了元素分析、红外光谱、飞行 时间二次离子质谱和X射线单晶结构分析等表征。两个族合物均为闭式十二顶双镍 十硼烷，镍、镍之间还分别存在Cl, Br和Cl，I桥且Cl，Br或I的占有率不同。簇合 物还具有两个邻位环化的Ni-P-C-C-B五元环。研究结果进一步证实：阴离子对反应 产物有影响，二氯甲烷参与了反应。     

2',5'-二氢-1'H-吡咯骈[3',4':1,2][60]富勒烯衍生物的合成

以甘氨酸乙酯盐酸盐与取代的苯甲醛为原料,制得了一系列亚胺,然后用亚胺与C60反应,得到带有不同取代基的吡咯烷骈[60]富勒烯衍生物.经1H NMR,13C NMB,FT-IR,UV-vis以及TOF-SIMS等方法对所得化合物结构进行了表征,并进行了产物的生物活性测试.     

用飞行时间二次离子质谱法分析模塑料成分

用飞行时间二次离子质谱（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ）结合银离化的方法研究了集成电路封装中常用的环氧模塑料的两种主要成分：邻甲酚环氧树脂和线型酚醛树脂。测得ｎ＝０～４的环氧树脂分子及相应的水解成分和ｎ＝１～７的酚醛树脂分子。碎片离子中除了芳香化合物的特征碎片外,还有反映树脂结构的碎片。通过对环氧树脂银离化碎片离子的分析,推断中间苯环上的侧链是最可能断裂的     

Forouhi-Bloomer离散方程在低k材料光学表征上的应用

半导体工艺中对低k介质材料的精确表征是工艺监控的重要环节,传统方法如扫描电子显微镜和透射电子显微镜存在耗时长和破坏性等缺点。使用一种结合了Forouhi-Bloomer离散方程组和宽光谱分光光度法的新方法,对低k薄膜进行光学表征,得到薄膜的折射率n、消光系数k和膜厚d,并将结果与椭偏仪的测量进行比较,证明了使用F-B方程在半导体工艺中精确表征低k材料的能力和这种方法快速无损的优点。     

大功率LED封装的温度场和热应力分布的分析

针对典型的大功率发光二极管(LED)塑封器件,建立了3D模型,对器件内部从初始到正常工作状态过程中的温度分布和热应力分布进行了有限元分析模拟,并测试了实际器件表面特征点的温度变化.瞬态热分析的结果与实际的器件表面温度实测数据吻合较好.考虑到不同散热条件的影响,给出了该大功率LED塑封器件中热应力集中区域和该类器件适当的工作范围.     

化合物半导体薄膜工艺参数的分光光度法测试

化合物半导体的组分与膜厚等是光电子器件工艺监控中的关键工艺参数,因为这些参数直接影响着器件的光学和电学等性能.介绍了通过分光光度法和Forouhi-Bloomer离散方程相结合的方法测定化合物半导体薄膜折射率n与膜厚d,通过材料组分与折射率之间关系的分析进而得到化合物组分x,该结果用SIMS和XRD方法得到验证.由于分光光度法能够快速无损地测量反射率,并且由该反射率能够更准确地测到其组分信息,因此在实际的生产在线监控和工艺改进中有良好的应用前景.     

2',5'-二氢-1'H-吡咯骈[3',4':1,2][60]富勒烯衍生物的合成

以甘氨酸乙酯盐酸与取代的苯甲醛为原料,制得了一系列亚胺,然后用亚胺与C~6~0反应,得到带有不同取代基的吡咯烷骈[60]富勒烯衍生物.经^1HNMR,^1^3CNMR,FT-IR,UV-vis以及TOF-SMS等方法对所得化合物结构进行了表征,并进行了产物的生物活性测试。     

再布线圆片级封装板级跌落可靠性研究

再布线圆片级封装通过对芯片焊区的重新构造以及无源元件的集成可以进一步提升封装密度、降低封装成本。再布线圆片级封装器件广泛应用于便携式设备中,在实际的装载、运输和使用过程中抗冲击可靠性受到高度重视。按照JEDEC标准对再布线圆片级封装样品进行了板级跌落试验,首先分析了器件在基板上不同组装点位的可靠性差异;然后依次探讨了不同节距和焊球尺寸、再布线结构对器件可靠性的影响;最后,对失效样品进行剖面制样,采用数字光学显微进行形貌表征。在此基础上,结合有限元分析对再布线结构和铜凸块结构的圆片级封装的可靠性和失效机理进行深入地阐释。     

圆片级封装的板级跌落可靠性研究

圆片级封装(WLP)具有尺寸小、散热性能好、封测成本低等优点,广泛应用于便携式电子产品,其在跌落、碰撞等环境下的可靠性越来越受到重视。将WLP器件组装到PCB基板上,按照JEDEC电子产品板级跌落实验标准进行实验,研究了WLP元件引脚节距、焊球尺寸、PCB焊盘工艺等因素对样品可靠性的影响。对失效样品进行了切片制样,通过金相显微镜、能量色散X射线光谱(EDX)和扫描电子显微镜进行了分析,研究了WLP器件失效机理及其与器件焊球尺寸、节距之间的关系,讨论了底部填充料对WLP封装可靠性的改进作用。