X射线在超晶格材料衍射中的相干性分析

X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1 μm.X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干长度范围内厚度外延层中的衍射波会产生相干叠加,否则,产生非相干叠加.分子束外延(MBE)生长了短周期InGaAs/GaAs超晶格,在其摇摆曲线中观察到显示X射线在超晶格结构中衍射相干特征的多级卫星峰及Pendell(o)song干涉条纹,并利用相干光理论对超晶格结构信息诸如周期及"0"级峰位置等进行了分析.     

基于Android的手机恶意代码检测与防护技术

随着通信技术以及移动终端的发展,Android系统由于其本身的开源性,滋生了大量的恶意代码。为了满足Android手机用户的安全需求,文中基于Android,采用SVM机器学习思想,构建了恶意代码检测模型,并开发了一套手机恶意代码检测与防护系统,可以对其进行快速检测和深度检测。系统经Android手机测试结果表明,其具有较好的检测精度以及较低的恶意代码漏报率。     

用逆压电极化模型对AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管电流崩塌现象的研究

通过自洽求解一维Poisson-Schrdinger方程,模拟了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在工作时等效外电场对AlGaN/GaN异质结沟道处二维电子气(2DEG)浓度的影响.分析了逆压电极化效应的作用,从正-逆压电极化现象出发,提出了逆压电极化模型.计算结果显示：逆压电极化明显影响2DEG性质,当Al组分x=0.3,AlGaN层厚度为20 nm时,不考虑逆压电极化,2DEG浓度为1.53×10¹³cm^-2;当等效外电压分别为10和15V 关键词： AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 Poisson-Schrdinger方程 逆压电极化模型 电流崩塌     

全IP组网下3G语音杂音优化思路研究

目前移动通信网络的全IP组网,给解决语音业务带来新的挑战;除了传统的无线设备故障、无线网络质量差、干扰以及终端等问题外还需掌握网络组网架构、传输误码以及各环节带宽负荷等网络状况。基于真实案例,逐步研究分析排查各个方面的问题,提出IP组网下该问题的端到端解决思路。     

LTE SDR基站节能研究与应用

为响应国家节能减排号召,石家庄联通对LTE SDR基站的节能措施进行探索,对智能关断和闲时低业务量小区闭锁的节能效果进行评估和对比,根据评估结果将节能措施在网络中加以应用并取得良好的经济效益。     

4H-SiC(004)面双晶衍射摇摆曲线的分析

用X射线双晶衍射法(XRD)对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品(004)面进行测试,在所有样品的测试结果中发现,摇摆曲线主峰左侧160″附近均出现傍肩,并且主峰衍射强度也较低.依据X射线衍射理论对系统射线在测试样品(004)面的衍射峰位展宽进行计算,并对4H-SiC原子结构进行了分析.研究结果证实,摇摆曲线中傍肩的存在与射线源中的Ka2射线参与衍射有关,而相对较低的衍射强度受其(004)面的特殊双层原子结构的影响.     

电化学C-V法对载流子浓度纵向分布的精确测量

电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法.用电化学C-V测试仪对外高内低、有较大浓度梯度的外延样品进行载流子浓度纵向分布测量时发现,内层低载流子浓度区域测试结果误差较大,主要是由测试系统引起的,由此提出了一种对结果的修正算法.通过对MBE制作专用样品测量证实,用该方法可得到数据准确可靠的测试结果.     

逆压电极化效应对AlGaN/GaN异质结2DEG特性的影响

从正-逆压电极化效应对GaN材料的影响出发,通过自洽求解一维Poisson-Schr(o)dinger方程,研究了逆压电极化效应对AlGaN/GaN异质结中2DEG浓度的影响.计算结果显示,逆压电极化明显影响2DEG性质,当Al组分x=0.3,AlGaN层厚度为20 nm时,不考虑逆压电极化,2DEG浓度为1.53×1013 cm-2;当等效外加电压分别为10和15 V时,2DEG浓度降低至1.04×1013cm-2和0.789×1013cm-2,可见当等效外电压由0～15 V变化时,2DEG浓度下降了48.4%.     

4G分层组网策略解决火车站候车厅高负荷探讨

2017年年底随着石济高铁正式运营,石家庄成为沟通山西省、河北省和山东省的重要节点,石家庄的铁路枢纽地位大大增强。石家庄新火车站客流量逐年攀升,车站原有4G网络资源不足的短板愈发显现,用户感知出现下滑。详细分析石家庄联通网优与客响中心采用LTE 1800MHz+LTE2100MHz分层组网策略,实现火车站候车厅4G网络质量和用户感知双提升的案例。