分辨力增强技术的频谱分析

离轴照明和衰减型相移掩模作为重要的分辨力增强技术,不仅可以提高光刻的分辨力,同时还可以改善成像焦深,扩大光刻工艺窗口,实现65~32 nm分辨成像。从频谱的角度分析了离轴照明和衰减型相移掩模对成像系统交叉传递函数和像场空间频率分布的影响,研究这两种技术的物理光学本质,由此进一步优化光学成像系统设计、分辨力增强技术和确定设备使用的参量。对分辨力增强技术的频谱分析研究表明,分辨力增强技术通过调整像场频谱分布,改善了光学光刻的图形质量。对于65 nm密集图形,离轴照明和相移掩模结合后可以使成像衬比度最高达到0.948,工艺窗口在5%曝光范围内焦深达到0.51μm。     

掺杂KNSBN晶体中的电子—空穴竞争

通过测量掺杂ＫＮＳＢＮ晶体光折变光栅记录和擦除动态特性，首次分析了掺杂ＫＮＳＢＮ晶体中的电子－空穴竞争，根据耦合波理论，指出，响应时间越快的晶体，电子－空穴竞争越激烈，因而导致净调制折射率越小，衍射效率赵低，最后，分析了空穴产生的原因，并估算有效载流子浓度为１０＾１５／ｃｍ＾３量级。     

新型MEMS微致冷器可行性研究

MEMS的高能量密度驱动和IC高度集成使MEMS器件严生较强的热效应,影响了MEMS器件的稳定性和寿命。传统的致冷器与待致冷器件是相对独立的器件,无法满足MEMS器件局部有效致冷和系统集成的要求。介绍了一种新型铁电薄／厚膜MEMS微致冷器的原理和设计,探讨其作为MEMS致冷器的可行性,该致冷器可以在较大工作温度范围内,对基于IC硅工艺的MEMS器件和普通IC芯片进行致冷。     

浸没式ArF曝光过程中液体热性能分析

浸没式ArF曝光系统在最后一面物镜和晶圆之间引入液体作为成像介质.曝光过程中,液体存在热分布变化,并引起液体折射率的改变,导致光刻性能下降,因此,有必要确定液体热分布变化的情况.应用有限元方法,建立二维模型,分析液体在不同进口压强下的温度分布,同时分析液体流入方向与晶圆移动方向异同情况下的液体温度分布.在此基础上,分析了晶圆上残留热量对液体热分布变化的影响.结果表明,不考虑晶圆残留热量,温度升高的最大值在0.15 K左右,温升厚度最大可达到0.4 mm;考虑晶圆残留热量的影响,温度升高最大值增加0.02 K左右,温升厚度最大可达到0.45 mm.     

0-3型(Ba1-x-ySrxPby)(Mn,Ti)O3铁电厚膜的制备与表征

铁电纳米超细粉体的合成与分散技术是成功制备0-3型铁电厚膜的关键和难点之一。采用Sol-Gel技术可制备呈球形软团聚、钙钛矿相结构完整的30nm～70nm MPBST超细粉体，以及致密无裂纹、表面光洁和铁电性能优良(Pr=3．8μC／cm^2)的0-3型铁电厚膜。通过TEM、XRD、TGA-DTA、AFM等手段分析了Sol-Gel工艺的化学机制和热演化历程，结果表明：采用以乙二醇乙醚为主要溶剂的Sol-Gel技术可降低MPBST粉体／厚膜的合成温度,提高粉体均匀性和晶相结构单一性。     

极紫外光刻真空工件台技术研究

在极紫外光刻系统中,真空工件台的运行精度、速度、加速度以及动态定位和扫描同步性能是影响整机成像质量、套刻精度和产率的重要因素。结合极紫外光刻机的工作原理和发展现状,论述了极紫外光刻机真空工件台系统的特征、组成及其关键技术。     

微型MEMS致冷器的研究新动向

微机电系统(MEMS)与超大规模集成电路(ULIC)进一步微型化与集成化,急需微型冷却系统对其芯片等进行局部冷却。因此,基于硅微机械加工工艺的微型致冷器被提上研究日程,并有望发展成为无压缩机、无机械部件的新型致冷器。着重介绍了微型MEMS致冷器的国内外研究动向与发展趋势,阐述并分析了几种典型致冷材料与器件的工作原理、技术可行性及应用研究前景。     

光子晶体光纤的传输模式特性

基于平面波展开法,数值模拟高光子晶体光纤传输的几种模式,介绍光子晶体光纤的应用及发展.结论为光子晶体光纤通信的器件设计提供参考.     

超高数值孔径Schwarzschild投影光刻物镜的光学设计

针对45nm及以下节点光刻相关技术的研究需求,确定了实验型投影光刻物镜的结构型式及设计指标。依据像差理论在非同心小遮拦的Schwarzschild反射系统中添加折射补偿镜组来进一步减小系统的中心遮拦,扩大像方数值孔径。设计了一套小中心遮拦,数值孔径为1.20的Schwarzschild折反式投影光刻物镜。设计结果表明,该投影光刻物镜工作带宽为100pm,像方视场为50μm,线中心遮拦比为13%,光学分辨力为80nm时(6240lp/mm)的系统调制传递函数大于0.45,全视场最大畸变为6.5nm,满足了45nm深紫外(DUV)浸没光刻实验平台对投影光刻物镜的需求。     

高数值孔径光刻成像中双层底层抗反膜的优化

在高数值孔径光学光刻中,成像光入射角分布在较大范围内,传统的单底层抗反膜不足以控制抗蚀剂-衬底界面反射率(衬底反射率)。考虑照明光源形状以及掩模的影响,提出了一种新的双层底层抗反膜优化方法,依据各级衍射光光强求衬底反射率的最小权重平均值来配置膜层。针对传统掩模、衰减相移掩模以及交替相移掩模的情况,用该方法优化双层底层抗反膜。结果表明,如果成像时进入物镜光瞳的高阶光越多,高阶光光强越大,则掩模对底层抗反膜优化的影响越大。在某些成像条件下,如使用交替相移掩模实现成像,有必要在底层抗反膜优化中考虑掩模的影响。