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提出一种改善n型横向双扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)器件性能的工艺方法。该方法基于某公司0.18μm标准工艺流程,通过在NLDMOS的共源处增加一道离子注入,引出衬底电荷,以优化NLDMOS器件的击穿电压(Vb)与比导通电阻(Rsp)。选择不同的注入离子浓度与快速热退火时间,研究了器件的Vb与Rsp变化。由于离子激活效率不足,单纯增加20%的注入离子浓度,器件的耐压性能提升极小,采用增加20%注入离子浓度结合延长20s快速热退火时间的方法,NLDMOS器件的Vb提高约2.7%,同时Rsp仅增加0.9%左右。 相似文献
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HA纳米微粒对PEG-600低温保护剂反玻璃化结晶的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
为了研究羟基磷灰石HA纳米微粒对低温保护剂反玻璃化结晶的影响,本文利用DSC和低温显微镜研究了含有不同粒径(20nm、40nm、60nm)和不同质量浓度(0.1%、0.2%、0.4%、0.8%)HA纳米微粒的PEG-600(50%,w/w)溶液反玻璃化过程中的结晶现象.试验结果表明:与未添加纳米微粒的PEG-600溶液相比,加入40nm、0.4%纳米微粒的HA-PEG600溶液的反玻璃化温度升高了7℃;加入20nm、0.4%和40nm、0.8%纳米微粒的HA-PEG600溶液的冰晶生长速率分别降低了35%和提高了50%;纳米低温保护剂溶液的冰晶形貌从大圆形变成了小圆形、枝晶或小圆形中夹带枝晶. 相似文献
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为了研究羟基磷灰石HA纳米微粒对低温保护剂玻璃化性质的影响,利用DSC测量了含有不同粒径(20nm,40nm,60nm)和不同质量浓度(0.1%,0.2%,0.4%,0.8%)HA纳米微粒的PEG-600(50%,w/w)溶液的玻璃化温度。试验结果表明:加入40nm,0.8%HA的PEG-600溶液的玻璃化转变温度最大,熔融温度最小,稳定性也最高。与未加纳米微粒的PEG-600溶液相比,玻璃化转变温度提高了5℃,熔融温度降低了4.5℃,稳定性提高了近30%。加入60nm,0.8%HA的PEG-600溶液的玻璃化转变温度和反玻璃化温度都是最小,而熔融温度最大,稳定性也最低。与未加纳米微粒的PEG-600溶液相比,反玻璃化温度降低了4.5℃,稳定性降低了14%。 相似文献
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