一种低功耗32nm CMOS分数-N频率合成器设计

为了减少频率合成器的工作能耗,提出了一种新型低功耗的分数-N频率合成器。该合成器消除了电源电压、工艺偏差和温度变化（PVT）对电容的影响,能够产生中等精度时钟脉冲震荡且具有较低的芯片面积。该合成器通过采用频率-电流转换电路,将电路的输出频率与电容比成正比。采用32nm CMOS工艺对提出电路进行了制作。测试结果显示,相比其它类似合成器,提出合成器的功耗和面积更低,总面积仅仅为0.0065mm2,在0.9 V电源电压条件下,功率仅损耗为108 μW。使用4 MHz参考时钟时,输出频率范围为18–156 MHz,频率分辨率为0.8MHz。