焊球网格阵列(BGA)封装技术的发展

<正> 1 引言目前,大多数微处理器、图形芯片以及专用集成电路(ASIC)都采用焊球网格阵列(BGA)封装。由于这些器件的 I/O 数量较多,无法在电路板上采用方形扁平(QFP)的封装形式,采用 CSP 或直接芯片贴合也不能满足热处理的要求。而在封装中采用倒装片贴合的方法具有经济与性能等诸多优     

高密度三维封装技术

简要介绍为满足日益增长的低功耗、轻重量、小体积系统的应用需求而涌现出的多种裸芯片封装与多芯片叠层封装技术。详细讨论三维封装的垂直互连工艺。主要分析三维封装技术的硅效率、复杂程度、热处理、互连密度、系统功率与速度等问题。     

倒装芯片工艺挑战SMT组装

<正> 1 引言 20世纪90年代以来,移动电话、个人数字助手(PDA)、数码相机等消费类电子产品的体积越来越小,工作速度越来越快,智能化程度越来越高。这些日新月异的变化为电子封装与组装技术带来了许多挑战和机遇。材料、设备性能与工艺控制能力的改进使越来越多的EMS公司可以跳过标准的表面安装技术(SMT)直接进入先进的组装技术领域,包     

BGA封装技术研究

介绍了 BGA技术的研究现状 ,着重从芯片互连、基板材料及封装设计等方面讨论了该技术的发展前景。     

MEMS封装技术现状与发展趋势

介绍了MEMS封装技术，包括单芯片和多芯片封装技术。从适用性的观点出发，概述了当前的MEMS封装技术现状，并对其未来的发展趋势做出了分析。     

微电子封装技术的新趋势

本文从应用的观点出发简要介绍了各种封装技术在新世纪中的发展趋势。论述了如CSP、BGA 及倒装芯片等先进封装技术在微电子工业中所发挥的重要作用。     

亚洲加速MEMS研发和微系统组装

亚洲是全球微电子产品增长较快的地区。MEMs是业内人士公认的21世纪的新的技术增长点,而封装技术在微电子与MEMS制造中发挥着越来越重要的作用。本文论述了亚洲,尤其是中国和中国台湾在MEMS研究与微系统组装技术领域的发展现状与趋势。     

GexSi1—x／Si异质结器件的研制现状

介绍了应变层GexSi1-x/Si异质结构的生长，材料特性及其在异质结双极晶体管（HBT），双极反型沟道场效应晶体管（BICFET），调制掺杂场效应晶体管（MODFET），谐振隧道二极管，负阻效应晶体管（NERFET），毫米波混合隧道雪崩渡越时间（MITATT）二极管入和光电探测器等器件中的应用状况，并指出了其发展前景。     

fT为75GHz的SiGe基区异质结双极晶体管

报道了具有最高单位电流增益截止频率（fT)的Si异质结双极晶体管（HBT）的制作，器件的fT值达75GHz，集电极－基极偏压1V，本征基区层电阻（Rbi)17kΩ/□，发射极宽0．9um，该器件用SiGe作基底材料，采用多发射极双极工艺制作，其75GHZ的性能指标几乎比Si双极晶体管的速度提高一倍，45nm基区中的Ge是缓变的，这样就产生了约为20kV/cm的漂移电场，因而本征渡越时间仅为1．9ps。