Ku波段8W GaAs内匹配微波功率FET

Ｋｕ波段８ＷＧａＡｓ内匹配微波功率ＦＥＴ李祖华（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｋｕ－Ｂａｎｄ８ＷＧａＡｓＩｎｔｅｒｎａｌｌｙＭａｔｃｈｅｄＭｉｃｒｏｗａｖｅＰｏｗｅｒＧａＡｓＦＥＴ￥ＬｉＺｕｈｕａ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓ...     

集成化平面肖特基变容管微波C-V特性物理模型

提出一种集成化平面肖特基变容管微波频段 C- V特性物理模型 ,该模型考虑了由平面结构引起的分布有源层串联电阻、分布结电容、结反向饱和漏电流及侧壁电容对微波频段 C- V特性的影响 ,揭示了集成化平面肖特基变容管 C- V特性对频率的依赖 ,并对变容比作了讨论。模型与实验结果符合得很好     

一道习题的生长性探究

波利亚认为:好的题目和某些蘑菇相似, 它们都成串生长．义教版初中代数第三册67 页第10题就是一道生长性极强的好题．     

采用负阻电路的大调频范围GaAs MMIC压控带通有源滤波器

采用负阻电路以及我们自行构造的模型设计的集成化平面肖特基变容管，用GaAsMMIC技术实现了L波段大调频范围压控带通滤波器该滤波器具有200MHk的3dB带宽，调频范围1．64GHz～1．0GHz、计约600MHz并具有足够的带外抑制比．全部偏置电路均在片上，芯片共占面积1．6×1．8mm2．     

毫米波固态器件及模块技术进展

毫米波固态器件及模块技术由于其体积小、重量轻、可靠性高等优势，已在毫米波技术领域逐步占据了重要地位，本文重点介绍了从雪崩管、耿氏管、隧道管等两端器件到三端器件MESFET，再到新型器件，如PHEMT，HBT等的发展历程，以及毫米波集成电路技术和毫米波模块电路技术的进展情况。     

放飞思维 创意设计

探索题贴近生活实际,具有鲜明的时代特征.方案的创意性鼓励解题者多方向思考,在不同学习层次上寻求问题解决.本文仅从2002年中考试题中选取二例,给出部分设计,希望能启迪同学们放飞思维,探究更新奇、优美的设计,并借此检验自己的创新学习能力.     

CZNTD Si中氧碳对缺陷-杂质复合体行为的影响

本文研究了CZNTD Si中氧碳和缺陷-杂质复合体的热处理行为.分析了辐照和退火中的氧碳沉淀、缺陷-杂质复合体的形成、演变与施主的关系.确定了辐照施主是很少的,而主要是退火中形成的新施主,并且碳对这种施主起着强烈的促进作用.     

开放型选择题的探求途径

开放型选择题思考方位不定,综合逻辑性较强,常使一些同学棘手,现选取数例,浅析常见探求途径如下. 一、观察猜想,探求规律例1 观察下列图形,并阅读图形下面的相关文字:     

GaAs功率MESFET热阻测试与分析

通过对ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ的热阻分析、测试及相关热试验，促进芯片结构的优化设计和工艺控制，能有效地提高ＧａＡｓ器件的可靠性，以延长通讯卫星及微波电子整机的使用寿命。