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1.
报道了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)与金属-半导体-金属光电探测器(MSM PD)单片集成的两种光电集成电路,并在室温条件下分别测试了RTD器件、MSM器件和集成电路的电学特性.测试表明:RTD器件的峰谷电流比为4;由于改进了在半绝缘GaAs衬底上制作MSM的方法,5V偏压下的电流由原来的2μA增加到了18μA,基本实现了两种电路的逻辑功能.  相似文献   
2.
用 PSpice对一种由串连的 RTD和 HEMT组成的单稳多稳转换逻辑 (MML)电路进行了模拟。基于自行研制的 RTD的特性曲线提取了合适的器件模型和参数 ,分析了由输入信号调节器件的峰值电流来控制器件翻转次序从而在 MML电路中实现门函数逻辑的原理并由模拟得以证实。  相似文献   
3.
研究了CePO4加入量对ZrO2/CePO4陶瓷材料的力学性能和压痕裂纹形貌的影响.结果表明, 在ZrO2组成中加入适量的CePO4可形成强弱界面相互分布的网络结构, 在弱界面处裂纹可发生偏转、分支、桥联等形式, 从而在保证该材料具有可加工性的同时仍可维持较高的力学性能.  相似文献   
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