外电场下二氧化锆的分子结构及其特性

对O原子采用6-311++G*基组,Zr原子采用aug-cc-pVTZ-PP基组,利用密度泛函(B3P86)方法优化得到了ZrO2分子的稳定构型,并研究了不同外电场(0—0.025 a.u.)作用下ZrO2基态分子键长、能量、电荷分布、偶极矩和能级的变化规律.在优化构型的基础上,利用含时密度泛函(TD-B3P86)方法研究了ZrO2分子在外电场作用下前6个激发态的激发能、跃迁波长和振子强度的激发特性.研究结果表明:随着电场强度的增大,Zr—2O的键长增大,而Zr—3O的键长均匀减少,总能量降低,偶极矩增大;最高占据轨道能量基本保持不变,最低未占据轨道和能隙均减小.电场的增大使得激发能减小,各个激发态跃迁波长均发生不同程度的红移现象,因而,利用外电场可以控制ZrO2的发光光谱范围在可见-红外区域扩展.     

甲硝唑、替硝唑和奥硝唑的结构与光谱

采用密度泛函理论(DFT)中的杂化密度泛函B3LYP方法,在6-31+G水平上对甲硝唑、替硝唑和奥硝唑的结构进行几何优化,并在同一水平上计算了三种化合物的红外光谱,分析了三种化合物的稳定结构和红外光谱特征.结果表明:咪唑环基本为平面构型,并且环上有一定的芳香性;三种化合物在4000～400 cm-1波数区光谱基本一致,此部分是5-硝基咪唑类化合物的特征光谱,而在400～100 cm-1波数区三种化合物光谱区别较大.因此,可用中红外光谱来鉴定硝基咪唑类化合物,用远红外光谱对以上三种化合物进行鉴别.     

泊松采样在基于RMON的网络测量中的研究及实现

网络流量测量和分析是网络行为学研究的基础，文章通过对目前网络测量的技术及采样技术的分析研究，应用基于RMON的网络流量测量和泊松采样的方法，对RMON代理中探测到的网络流量数据进行采样、分析。文章对认识网络流量的一般规律，掌握网络行为的基本特征具有一定的参考价值。     

遗传算法在VLSI计算机辅助设计中的应用

介绍了遗传算法的基本原理,讨论了遗传算法在VLSI-CAD中的应用,给出了算法性能评价准则,最后对VLSI-CAD的设计作了展望.     

倍半萜类化合物比旋光度的理论计算

应用了从头计算Hartree-Fock方法,在6-31G机组下,对具有多个手性中心的一系列倍半萜类化合物的比旋光度进行了理论计算,理论计算值与实验值符合得较好.因此,可以通过该计算方法来帮助确定倍半萜类化合物的中的手性碳原子的构型.     

基于正交试验的PECVD法沉积氮化硅薄膜工艺参数优化研究

利用多响应正交试验方法研究了PECVD法沉积氮化硅薄膜的工艺参数的优化问题.鉴于目前针对多输出影响过程,尚无有效的方法进行工艺参数优化这一问题,利用综合评分法对衬底温度、气体总流量、NH3/SiH4流量比、反应腔气体压力、高频电场功率5个对氮化硅薄膜的主要质量特性影响较大的工艺参数进行全局优化,再对不满足质量期望的工艺参数进行部分正交分析,对全局优化的结果进行调整,得到最终的氮化硅镀膜的最优工艺参数.国内某光伏企业的验证试验表明了所提方法的有效性.     

基于伪装结构兼容设计的目标RCS仿真分析

伪装遮障是掩盖工程施工活动的有效措施,支撑骨架一般采用轻钢结构,其金属材质与外部构型,在雷达侦察下,会形成强散射暴露工程位置。本文针对伪装与结构的兼容设计,在满足结构稳定性和伪装隐蔽性的同时,通过对比同等遮障面积下不同钢柱截面的用钢量,得出优先采用方形截面柱以提高经济性的结论。同时,对大跨度遮障柱网的布局给出合理建议。随后,利用电大尺寸仿真,分类计算了多种仿形屋面结构随雷达威胁方向变化的远场RCS值,分析了多种起伏特征对结构RCS的影响规律,研究结果表明,根据地势的不同,对屋面设置特定方向的起伏能有效规避强散射的形成,可为防雷达伪装遮障的方案制定提供设计依据。     

基于工程定制化的伪装吸波材料设计研究

为实现工程目标与不同背景融合要求,开展针对环境变化的吸波材料定制化设计方法及涂层配方研究。根据传输线理论,通过设置多变量参数,编制了基于衰减量可调的改进遗传算法设计程序,对比实测与模拟值结果,验证了该方法的可行性;在分析电磁参数对吸收峰影响规律基础上,研究提出了采用磁改性填料对反射率曲线定向调节的方法。结果表明,优化的涂层配方实现了在Ka波段的宽频吸收,亦降低了目标与背景的辐射温差对比,满足了涂覆目标在主被、动探测下兼容的要求,可用于工程目标的防雷达伪装。     

Sn-Cl共掺杂的锂离子正极材料Li2MnO3的结构及电化学性能研究

以乙酸盐为原料,柠檬酸为络合剂,通过溶胶-凝胶的方法制备富锂阴极材料Li₂MnO₃,选用草酸亚锡(SnC₂O₄)为锡源,用Sn ⁴⁺代替Mn ⁴⁺,获得不同掺杂量的材料. 适当含量的Sn ⁴⁺掺杂可以提高材料的放电比容量,在低电流下获得256.3 mAh·g ^-1的高放电比容量,但由于Sn ⁴⁺离子半径过大,不能起到稳定结构的作用,材料的倍率性能较差. 在此基础上,选用氯化亚锡(SnCl₂)进行掺杂改性,在材料中同时引入Sn ⁴⁺和Cl ^-掺杂,获得了层状结构更完整的粉末样品. 通过共掺杂改性的阴极材料可以在20 mA·g ^-1的电流密度,经过80圈的循环仍然保持153 mAh·g ^-1的放电比容量,且此时还未出现衰减现象,库仑效率保持在96%以上;在400 mA·g ^-1的电流密度下提供的比容量可高达116 mAh·g ^-1,是未掺杂样品的2倍左右.