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1.
超大规模集成电路需要低阻互连和低阻接触,为此我们研究了热壁低压选择性化学气相淀积钨的新工艺.该工艺能选择性地把钨淀积在接触窗口、栅及其互连线、源漏上而不淀积在周围的氧化层上.钨膜纯度高,电阻率低,与n~+、P~+单晶硅及n~+多晶硅接触电阻小.因此是超大规模集成电路较理想的新工艺和新材料. 相似文献
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~~美国《化学文摘》2005年引文频次最高的1000种期刊表(中国部分)@张莉$大连理工大学
@朱诚$大连理工大学~~ 相似文献
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日本科学技术情报中心 (JapanInformationCenterofScience&Technology ,JICST)是在日本《科学技术文献速报》(CBST ,印刷本 ,共 12分册 ;被誉为世界六大著名检索期刊之一 )的基础上发展起来的网络版 ,由日本科学技术振兴事业团 (JapanScience&TechnologyCorporation ,JST)出版 .JST从 1996年开始与我会建立联系 ,先后向我会提供了 1996 ,1997和 1998年来源期刊表 (中国部分 ,最多达 5 0种 ) ,并收录了我会推荐的 10余种期刊 .由于数据库较小、编辑加工困难等 ,2 0 0 0年JST正式决定减少对非英语期刊的收录 ,并正式通知我会 .从此… 相似文献
8.
系统地研究了波长为2.7μm的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱激光器中有源区的优化设计.分别用含应变势的6带KP模型和抛物带模型计算价带和导带的能带结构,并得到薛定谔方程和泊松方程的自洽解,由此计算量子阱在载流子注入时的增益谱.研究表明制约量子阱增益的主要因素不是跃迁矩阵元,而是粒子数反转程度,尤其是空穴填充HH1子带的概率.增加压应变或减小阱宽都会提高量子阱增益.前者降低了价带HH1子带空穴的平面内有效质量;后者拉大了价带子带间距,尽管它同时略微增加了空穴有效质量.这两种因素都导致价带顶空穴态 相似文献
9.
采用回旋共振光谱方法,同时获得了具有较高电子气浓度的赝形In0.80Ga0.20As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48AsHEMT结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、 散射时间和迁移率.观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应,以及合金无序势和电离杂质散射所引起的电子散射时间和迁移率明显的子带依赖性.
关键词: 相似文献
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