高灵敏可见／紫外条纹相机的最小可探测能量密度

分析了影响条纹相机最小可探测能量密度的主要因素，通过采用两级增强器级联的方法降低了条纹最小可探测能量密度。利用超短激光脉冲经过标准具后形成一个能量等比衰减的脉冲序列，对ＺＰＴ－３Ｋ紫外／可见皮秒条纹相机的最小可探测能量密度进行了测量。测量表明：相机最小可探测能量密度在可见波段（５３２ｎｍ）达１×１０－１３Ｊ／ｃｍ２。     

半导体制冷的大功率LED模组散热模拟

基于热电制冷原理,对采用半导体制冷器制冷的50W大功率LED模组系统散热进行模拟,研究了大功率LED结温(Tj)、半导体制冷器工作状态(冷热端温差ΔT)、散热器热阻(Θh-a)间的关系。模拟结果表明,采用半导体制冷的LED模组系统,存在一个Θh-a的最大限制值,只有Θh-a小于这一限制值时制冷器才能降低LED结温;随着所设计的制冷器ΔT增加,其制冷效率下降,而所要求的散热器散热强度先降低后升高;当Θh-a为定值时,制冷器的ΔT有一个最佳范围;使用多级半导体制冷来给LED模组系统散热更具有价值。     

COB封装全光谱LED光源及其光电特性

为了提高光源的显色指数,设计、制作一种COB封装的全光谱LED光源,通过在设计中增加峰值波长415nm的紫光LED芯片和发光峰值波长497nm、655nm的荧光粉,弥补了普通LED光源在紫光、蓝绿光和红光等光谱区间的能量分布不足。实验结果表明,发光效率达到103.34lm/W,全光谱LED光源显色指数高达99.38,接近日光100的显色指数,能够满足高质量照明领域对光源显色性的要求。     

地方高校大学物理教学思考与实践

大学物理作为高等院校理工科各专业学生一门重要的通识性必修基础课,在培养和提高学生科学素质、科学思维方法和科学研究能力方面具有举足轻重的作用.从学生、教师、考核方式以及教材等几个方面就目前地方高校大学物理教学中存在的问题进行了分析,并对大学物理课程改革和教学团队的建设进行了深入思考,最后对教学改革提出了一系列行之有效的具体措施,旨在提升大学物理的教学质量,培养学生分析问题和解决问题的能力.     

芯片键合材料对功率型LED热阻的影响

分析了功率型LED热阻系统的构成,对采用银浆和环氧胶作为芯片键合材料的功率型LED热阻进行了对比研究。研究结果表明:采用银浆作为芯片键合材料可以显著改善功率型LED的热阻系统,同采用环氧胶作为芯片键合材料的功率型LED相比,其热阻下降了约100℃/W。     

电子与类锂离子2s－2p碰撞激发截面

用多通道量子数亏损理论，从精确的类被离子能谱数据推算出低能电子与类锂离子Ａｌ１０＋和Ｓｉ１１＋的２ｓ－２ｐ碰撞激发截面和碰撞激发速率，并与用Ｍｅｗｅ的内插公式计算得到的结果进行了比较，计算结果表明两者差别在百分之五以内。比较可靠的低能电子与类锂离于碰撞激发截面数据对于复合泵浦类锂离子软ｘ射线激光和受控聚变研究具有重要作用。     

荧光粉预沉淀对COB白光LED光色参数的影响

制作了高光效高显指COB封装LED光源,研究了点涂荧光胶后光通量、色坐标、光谱等光色参数随荧光粉预沉淀时间的变化关系。研究结果表明,在预沉淀初期(约5min),LED光源光色参数随预沉淀时间变化较大,之后进入一个缓慢变化的阶段。研究认为这一现象的出现是因为粒径不同的荧光粉颗粒沉淀速度不同造成的,预沉淀初期,大粒径的荧光粉颗粒迅速沉淀,造成LED光源光色参数剧烈变化,之后小粒径的荧光粉缓慢沉淀,LED光源光色参数也呈现缓慢变化的趋势。在实际生产中,将预沉淀时间控制在15～25min,取得了良好的效果,主货率(颜色在一个档位的比例)达到98%以上。     

沉粉工艺COB LED光源发光效率研究

研究了常规荧光粉涂覆工艺和沉粉工艺COB封装白光LED的发光效率、色漂移及光通量等参数的电流依赖关系,对实验结果进行了理论分析。研究结果表明,采用沉粉工艺时,更多的荧光粉集中在LED芯片表面,理论上提供了更好的散热通道,但是LED芯片电光转换时产生的热量和荧光粉光致发光产生的热量均集中在芯片附近,导致芯片附近温度升高,在几种效应的共同作用下,沉粉工艺制作的COB LED的发光效率在不同电流下均低于常规工艺的3%～5%。     

金属支架0.5 W红外发光二极管研究

设计了一种采用金属支架直接导热的大功率红外发光二极管封装结构.该封装结构通过增加芯片底部金属座的厚度和尺寸,有效改善了散热性能,降低了封装热阻.实验测量表明,大功率红外发光二极管峰值波长为850nm,发光束角10°,典型输入功率为0.5W,最大输入功率可以达到2W以上,最大电光转换效率可达37.82%,最大辐射功率达到415.25 mW.

Abstract：

Using metal framework for heat conduction,a new packaging structure for power infrared light-emitting diode (LED) is introduced.This structure improves the heat dissipation effectively by increasing the size and the thickness of the metal framework.Experiment results show that the peak wavelength of the infrared LED is 850 nm,with the beam angle of 10° The typical input power is 0.5 W,and the maximum input power can reach higher than 2 W.The largest electro-optical conversion efficiency is up to 37.82%,and the largest radiation power reaches 415.25 mW.