基于BCR和HG-ICP-AES的矿区土壤重金属污染特征分析

建立了基于BCR法(连续提取法)和HG-ICP-AES技术的土壤重金属形态含量的检测方法。在选定的实验条件下,HG-ICP-AES对Hg, Pb和As的检测限分别达到0.6,1.5和0.8 ng·mL-1。对国家标准沉积物样品中Hg,Pb和As的含量进行对照测定,检测结果与推荐值一致,标准物质中Hg, Pb和As多次重复测定的RSD均<8%。应用本法实测了湘西某有色金属矿区土壤中Hg, Pb和As各形态的含量,发现矿区土壤中Hg, Pb和As均以残渣态为主,有机态和Fe-Mn氧化态次之,酸交换态含量较少;与对照区相比,矿区土壤中酸交换态、Fe-Mn氧化态、有机态、残渣态Hg, Pb和As的含量分别增加1.2, 3.0, 47, 272倍(Hg); 1.2, 4.6, 8.1, 4.5倍(Pb); 1.5, 2.9, 3.3, 2.2倍(As); 表明湘西矿区土壤同时存在Hg, Pb和As的复合污染。     

埋栅型电力静电感应晶闸管的Ⅰ-Ⅴ特性反向转折机理

研究了静电感应晶闸管的反向转折特性.当工作在正向阻断态的阳极电压增大到某一临界值时,静电感应晶闸管的Ⅰ-Ⅴ曲线呈现出反向转折特性,甚至转向导通态.在综合考虑了工作机理、双注入效应、空间电荷效应、沟道中的电子-空穴等离子体和载流子寿命变化的基础上分析了静电感应晶闸管的反向转折特性.首次给出了反向转折机理的理论解释,并给出了估算转折电压和电流的数学表达式,在常用工艺参数范围内,计算结果和实验测量值基本一致.     

发光层位置对白光有机发光二极管的影响

同一种主体材料MADN中混掺不同的掺杂剂,分别制备了两种白光有机发光二极管,测试并研究了它们的发光效率、寿命、发光亮度、电致发光光谱以及色平衡度。结果表明,两种白光器件的性能受发光层的顺序和厚度的影响显著。发光层顺序由阳极到阴极方向为橙/蓝的器件的稳定性要优于发光层顺序为蓝/橙的器件,这是由于橙光发光层中的rubrene对空穴的陷进作用可捕获穿越橙光发光层中的空穴,从而有效地调控了器件内部的电子、空穴浓度的平衡。通过对器件的优化,制得了色坐标为(0.3201,0.3459)的接近标准白光的有机电致发光器件。     

静电感应晶闸管的负阻转折特性分析

描述了静电感应晶闸管(SITH)的优点、应用前景、结构特点及负阻转折特性.从SITH的作用机理出发,分别分析了导致负阻转折出现的几种重要的物理效应,如电导调制效应、空间电荷效应和复合效应以及载流子寿命的变化等,分析几种物理效应综合作用的过程.得到SITH的负阻转折属于高电平下空间电荷效应和复合效应共同限制的双注入问题,是几种重要物理效应共同作用的结果.     

埋栅型静电感应器件研制中的外延技术

对电力埋栅型静电感应晶体管关键工艺外延进行了深入研究,提出了在低阻p型衬底上制备高阻n型外延层的工艺方法,使外廷层的方块电阻达到40 000 Ω/□.实验证明,该方法能有效抑制自掺杂效应和扩散效应,避免了外延过程中可能出现的反型.研制的电力埋栅型静电感应晶体管,I-V特性良好、栅源击穿电压达到70 V,阻断电压达到,600 V.     

NiO_x作为空穴传输层对有机太阳能电池光吸收的影响

基于多层膜系模型的传输矩阵方法、麦克斯韦方程和光子吸收方程,研究了NiOx作为替代3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)的空穴传输材料对聚3-己噻吩(P3HT)和富勒烯衍生物([6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester,PC61BM)共混体异质结有机太阳能电池器件内部光电场分布和光吸收特性的影响.分别制备了以NiOx和PEDOT:PSS为空穴传输层,P3HT:PCBM为活性层的有机太阳能电池,并通过数值模拟的方法比较了NiOx和PEDOT:PSS两种空穴传输材料对器件光伏特性的影响.结果表明:10 nm的NiOx空穴传输层器件比40 nm的PEDOT:PSS器件获得了更大的短路电流和填充因子,并具有更高的能量转化效率.     

ICP-AES法测定西藏大骨节病区及非病区饮用水中的微量元素

运用ICP-AES法准确测定了西藏地区大骨节病区和非病区中沟水、河水、泉水和溪水等四种饮用水中Cu,Zn,Fe,Ca,Mg,Mn,Al,K,Ba,P,Sr,Cd,V,Cr,Ni,Pb和Co等多种微量元素的含量。该方法的相对标准偏差在0.80％～2.83％之间,标准物质的测定结果满意,方法简单可靠。文章通过对测定结果的分析,得出西藏不同地区、不同饮用水类型中微量元素的含量差异,为改善西藏大骨节病区居民的生活饮用水提供了科学理论依据。     

Alq3/ITO结构的表面和界面电子状态的XPS研究

用传统的真空蒸镀法制备了Alq3/ITO样品,并用X光电子能谱（XPS）研究了Alq3/ITO紧密接触的表面和界面电子化学状态。对Alq3/ITO样品的表面分析表明,在Alq3分子中,Al原子的束缚能（Eb)为70．7eV和75．1eV,分别对应于Al(0)和Al(Ⅲ）态;C原子的束缚能为285．8eV、286．3eV和286．8eV,分别对应于C－C、C－O和C－N键;N原子的主峰位于401．0eV,对应于C－N＝C键;而O原子主要与H原子成键,其束缚能为532．8eV。为了研究Alq3/ITO的界面电子状态,我们用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀,当溅射时间分别为30,35,45分种时进行XPS采谱分析。结果表明,随着氩离子束溅射时间增长,Al2p、Cls、Nls、Ols、In3d5/2和Sn3d5/2峰都向低束缚能方向有微小移动,且Al2p、Cls和Nls峰变弱,这是受ITO中扩散进入Alq3层的O、In和Sn原子的影响所致。     

电力静电感应晶体管大电压特性的改善

A novel structure for designing and fabricating a power static induction transistor（SIT）with excellent high breakdown voltage performance is presented.The active region of the device is designed to be surrounded by a deep trench to cut off the various probable parasitical effects that may degrade the device performance,and to avoid the parallel-current effect in particular.Three ring-shape junctions（RSJ）are arranged around the gate junction to reduce the electric field intensity.It is important to achieve maximum gate–source breakdown voltage BVGS, gate–drain breakdown voltage BVGD and blocking voltage for high power application.A number of technological methods to increase BVGD and BVGS are presented.The BVGS of the power SIT has been increased to 110 V from a previous value of 50–60 V,and the performance of the power SIT has been greatly improved.The optimal distance between two adjacent ring-shape junctions and the trench depth for the maximum BVGS of the structure are also presented.