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Two layout and process key parameters for improving high voltage nLEDMOS (n-type lateral extended drain MOS) transistor hot carrier performance have been identified. Increasing the space between Hv-pwell and n-drift region and reducing the n-drift implant dose can dramatically reduce the device hot carder degradations, for the maximum impact ionization rate near the Bird Beak decreases or its location moves away from the Si/SiO2 interface. This conclusion has been analyzed in detail by using the MEDICI simulator and it is also confirmed by the test results. 相似文献
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DDS的相位截断及相应的杂散信号分析 总被引:10,自引:5,他引:10
直接数字频率合成(DDS)的缺点在于输出频率低和存在大量的杂散信号。而杂散信号产生的原因之一就是相位截断。文章首先介绍了DDS的基本结构和原理,总结了产生DDS杂散噪声的来源。重点分析了相位截断误差以及由相位截断引起的杂散频率分量,提出了计算这一杂散频率分量个数及信噪比的方法。 相似文献
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基于低频段的矢量网络分析系统,利用扩频模块进行频段扩展是现阶段实现太赫兹元器件有效测试的主要方法。本文针对太赫兹扩频测试系统的构成,结合测试结果进行了分析与评估,提出了改善太赫兹倍频测试系统性能的方法,并提高了测试系统的可检测动态范围。 相似文献
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