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1.
孙鹏霄  刘肃  李泠  刘明 《半导体学报》2014,35(10):104007-4
本文对基于固态电解液的阻变存储器导电细丝的微观生长过程进行了蒙特卡洛模拟研究,模拟过程引入了多种物理和化学机制。模拟计算结果表明导电细丝形貌以及导电细丝不同的生长方向由金属离子在电解质材料中的迁移速率所决定。迁移速率较大的情况下,细丝由阴极向阳极生长;迁移速率较小的情况下细丝生长过程表现为从阳极向阴极生长。根据模拟出来的细丝形貌以及电流电压特性,我们对细丝的生长过程进行了详细讨论,模拟结果能很好地吻合实验结果。  相似文献   
2.
基于元胞自动机理论的硅各向异性腐蚀模型   总被引:1,自引:1,他引:0  
陈杰智  李泠  施毅  刘明  郑有炓 《半导体学报》2005,26(8):1671-1675
根据硅各向异性腐蚀在微观尺度下的特点,基于元胞自动机理论提出了新的腐蚀模拟模型.该模型考虑了腐蚀过程中硅不同晶面的晶体结构特点,并通过引入碰撞理论,综合反映了腐蚀温度和浓度对腐蚀的影响作用.该模型可快速准确地模拟分析各向异性腐蚀工艺过程,对优化工艺有着理论指导作用.  相似文献   
3.
软起动器是一种集电机软起动、软停车、轻载节能和多种保护功能于一体的新颖电机控制装置。文章扼要介绍了除尘风机软起动器的选用原则,最后对软起动器在转炉除尘风机中的控制方案进行了分析。  相似文献   
4.
电子束光刻技术具有极高的分辨率,其直写式曝光系统甚至可达到几纳米的加工能力.本文重点对不同的抗蚀剂、电子束/光学系统的混合光刻及邻近效应修正等技术进行了研究.  相似文献   
5.
6.
本文利用元胞自动机的方法建立电子抗蚀剂显影模型,阐述了用该模型确立电子抗蚀剂显影后轮廓的方法,在结合相应的能量沉积模型和显影速率模型后,给出了电子抗蚀剂最终显影轮廓的模拟结果,并用ZEP520电子抗蚀剂进行实验验证.  相似文献   
7.
100 nm分辨率交替式移相掩模设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
讨论了100nm分辨率交替式移相掩模设计中的关键问题,以及通过对版图的拓扑分析,建立自动化的解决相位冲突的各种方法。通过比较,确立了分层叠加曝光的方案,并针对分层叠加曝光技术,进行了100nm节点中分层技术中两种关键图形的模拟。得出了分层叠加曝光在100nm技术节点中也可以实现的结论。  相似文献   
8.
100nm分辨率的移相掩模技术   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了移相掩模技术的基本原理,对几种主要的移相掩模技术进行了比较,指出了各种移相方式的特点和应用局限性,并针对100nm分辨率的技术节点,阐述了各种移相方式在应用中应该解决的问题。  相似文献   
9.
根据硅各向异性腐蚀在微观尺度下的特点,基于元胞自动机理论提出了新的腐蚀模拟模型.该模型考虑了腐蚀过程中硅不同晶面的晶体结构特点,并通过引入碰撞理论,综合反映了腐蚀温度和浓度对腐蚀的影响作用.该模型可快速准确地模拟分析各向异性腐蚀工艺过程,对优化工艺有着理论指导作用.  相似文献   
10.
通过蒙特卡罗模拟方法研究电子散射过程,探讨邻近效应产生机理并寻求有效的邻近效应校正途径.实验结果表明:邻近效应现象是一种综合效应,可以通过优化工艺条件有效地抑制邻近效应的影响,使邻近效应校正达到预期的效果.  相似文献   
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