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1.
基于第三代电流传输器,通过在放大级与输出之间采用隔离补偿电容,以消除低频零点的方式,设计了一种新型的低压低功耗的电流反馈运算放大器.基于TMSC 0.35μmCMOS工艺,在1.5 V电源电压工作条件下,采用Hspice在LEVEL49模型参数下对整个电路进行仿真.仿真结果:直流增益96.3 dB,单位增益带宽765 MHz,静态功耗0.82mW,闭环工作状态下有64.3 MHz的固定带宽.  相似文献   
2.
提出了一种电压跟随能力强、功耗低、调节范围大的CMOS电调谐第二代电流传输器(ECCⅡ),通过引入对称的CMOS电流舵电路,保证了电流传输精度,电流增益连续可调,调节因子-2≤K≤2,同时避免了电流镜的过多使用,减小了电流损耗.采用电压调控方式,增大了电流输入范围;将电流输入端和电流加减电路隔离,保证了精确的电压跟随能力.采用TSMC 0.35μm工艺参数,在±1.5V电源供电的条件下对电路进行了Hspice模拟,VY/VX,和IZ/IX的-3 dB带宽分别为83.5 MHz和136 MHz,功耗为1.7515 mW.该电路在可调谐连续时间电流模式滤波器的设计中有广泛的应用前景.  相似文献   
3.
采用TSMC 0.25μm CMOS工艺,提出了一种基于衬底驱动放大器的高精度带隙基准(BGR)电路。采用衬底驱动技术的放大器,有效地降低了电源电压;通过PTAT2电流产生电路对基准电路进行2阶温度补偿,有效地降低了输出基准电压的温度系数;采用改进型共源共栅输出级电路,很好地改善了电路的电源抑制比(PSRR)。HSPICE仿真结果显示:在2 V供电电压下,输出基准电压为1.261 V,温度系数为8.24×10-6/℃,低频电源抑制比-为91 dB。整体电路功耗为1.37 mW。  相似文献   
4.
目前,在高能加速器达到的能量范围内关于反质子的产生截面与初能的关系,或者反质子多重数和π~-介子多重数之比p/_π~-与初能的关系,都进行了一定的测量.我们在大强.得到反质子p强度与质子p强度比为Ip/Ip(?)0.09  相似文献   
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