GaAs/GaAlAs行波激光放大器的研制及特性研究

近年来,半导体激光放大器(SLA)发展很快,SLA的光—光直接信号放大特性在波分复用(WDM)、频分复用(FDM)等长距离大容量传输系统中非常有吸引力。 按SLA的工作方式和结构特点可把其分成三种类型:法布里型(FP—SLA),注入     

单层消反射膜反射率的近似公式

本文给出了单层消反射膜反射率R的一个近似公式。它具有足够高的计算精度,而在运用上却非常简便。     

GaAlAs-GaAs半导体激光器增益参数的研究

通过对半导体激光器发射光谱的计算可获得激光器的增益谱.本文研究了不同电流注入下激光器的增益特性;激光器的峰值增益系数Gmax在阈值电流以下随注入电流的增大而提高,也随结温的升高而下降.     

GaAs—GaAlAs液相外延生长层表面形貌的探讨

一、引言随着光纤通讯和集成光学的飞速发展,GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs液相外延技术也得到了很大的进展,并成功地研制出了寿命六百万小时的半导体激光器及种类繁多的集成光学器件。在液相外延的过程中,首先展现在人们面前的是外延片表面生长的情况,光滑平整的表面形貌不仅增加了外延片的美观,给制管工艺〈诸如光刻、扩散、掩膜、蒸发等〉带来了很大方便,而且生长层表面的好坏也直接反映着外延片内部的生长情况。一般说来,表面形貌好的外延片内部生长也好,反之,表面形貌生长不好的,外延片内部生长也不好。判断表面生长情况好坏可以直接观察其表面有无析出物,生长台     

Fabry-Perot型GaAs-GaAIAS DH激光放大器的增益和频率带宽

本文报导了用实验方法研究Fabry-Perot型GaAs-GaAlAs DH半导体激光放大器的结果。在共振放大条件下测量了总增益G_C及其随注入电流的变化,并通过G_C随入射光频率γ的变化测得频率带宽⊿v_(1/2)。用Hakki-Paoli的方法测量了光放大器的增益系数随注入电流的变化,求得单程增益G_S随注入电流的变化,利用G_S计算了G_C随注入电流的变化及频率带宽⊿v_(1/2)。计算结果和实验值符合较好。     

半导体激光器微分外量子效率及内量子效率的测量

内量子效率和微分外量子效率是半导体激光器的主要物理参数。H. S. Sommer(1978)曾提出一新的测量方法。